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LTPS工艺中光刻胶与膜层粘附力的研究

剧永波 , 陈建军 , 张宸铭 , 简月圆 , 熊正平 , 张龙泉 , 赵东升 , 罗少先 , 刘昊 , 孙宏伟 , 白贺鹏

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20173203.0190

本文对影响LTPS工艺中光刻胶和衬底间粘附力的4个因素进行了实验及理论分析.经实验发现:衬底的材质和粗糙度以及光刻胶中分子量的分布是影响光刻胶和衬底粘附力的最重要的两个因素.在改善粘附力方面HMDS对于电负性较强的金属衬底和光刻胶的粘附力有较好的改善效果,对于SiNX、A-Si及P-Si衬底改善效果明显,且无差异,对于ITO没有改善.光刻胶涂布后适当延长烘烤时间也可以有效改善光刻胶和衬底的粘附力.

关键词: 粘附力 , 光刻胶 , , , 氧化铟锡 , 多晶硅 , 非晶硅 , 氮化硅

光敏甲基丙烯酸酯共聚物的合成及在负性光致抗蚀剂中的应用

舒航 , 刘敬成 , 王春林 , 刘仁 , 张胜文 , 刘晓亚

高分子材料科学与工程

以甲基丙烯酸(MAA)、甲基丙烯酸甲酯(MMA)、甲基丙烯酸羟乙酯(HEMA)和甲基丙烯酸苄基酯(BZMA)为原料,通过自由基聚合制备了聚甲基丙烯酸酯系列共聚物PMMHB,再用甲基丙烯酸缩水甘油酯(GMA)与PMMHB反应制得光敏共聚物PMMHB—G。用傅立叶红外光谱(FT—IR)、核磁共振氢谱(^1H-NMR)、凝胶渗透色谱(GPC)、热重分析(TGA)和差示扫描量热(DSC)表征了聚合物的结构与性能,用光学显微镜和扫描电子显微镜(SEM)观测了光致抗蚀剂的耐酸性、微观线路及分辨率。结果表明,随共聚物组成中BZMA含量增加,其分子量(Mn)和玻璃化温度(L)呈下降趋势,热分解温度(Td)提高。光致抗蚀剂的耐酸性随BZMA含量的增加而有所提高。由PMMHB-G制得光致抗蚀剂的图像线路清晰笔直,分辨率可达到40μm。

关键词: 甲基丙烯酸酯 , UV固化 , 光敏共聚物 , 光致抗蚀剂

含N-苯基马来酰亚胺甲基丙烯酸酯共聚物的合成及其在负性光致抗蚀剂中的应用

刘敬成 , 郑祥飞 , 林立成 , 穆启道 , 孙小侠 , 刘晓亚

影像科学与光化学 doi:10.7517/j.issn.1674-0475.2015.03.230

以甲基丙烯酸(MAA)、甲基丙烯酸甲酯(MMA)、N-苯基马来酰亚胺(N-PMI)、甲基丙烯酸环己基酯(CHMA)为反应单体,通过自由基共聚合成了一系列共聚物PMMNC,然后与甲基丙烯酸缩水甘油酯(GMA)反应制备了甲基丙烯酸酯共聚物G-PMMNC.利用傅立叶红外光谱(FT-IR)、核磁共振氢谱(1HNMR)、凝胶渗透色谱(GPC)、差示扫描量热(DSC)等表征了共聚物的结构与性能.随着N-PMI含量的升高,共聚物的分子量增大,玻璃化转变温度升高;以G-PMMNC为基体树脂制备了光致抗蚀剂,考察了光致抗蚀剂的耐酸性和分辨率,研究结果表明,该光致抗蚀剂的耐酸性良好,分辨率为40 μm.

关键词: N-苯基马来酰亚胺 , 甲基丙烯酸酯共聚物 , 光致抗蚀剂 , 分辨率

各膜层对光刻胶灰化的影响

白金超 , 张光明 , 郭总杰 , 郑云友 , 袁剑峰 , 邵喜斌

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20153004.0616

研究各膜层对灰化速率的影响,增强对灰化工艺的了解,为四次光刻工艺改善提供参考.采用探针台阶仪测量在相同灰化条件下不同膜层样品的灰化速率和有源层损失量,对结果进行机理分析和讨论.实验结果表明:有源层会降低灰化速率,源/漏金属层可以增大灰化速率,栅极金属层对灰化速率无影响.对于正常膜层结构的阵列基板,源/漏层图形密度越大,灰化速率越小,图形密度每增大1%,灰化速率下降14 nm/min.有源层和源/漏金属层对灰化等离子体产生影响,从而影响灰化速率.

关键词: 薄膜晶体管阵列工艺 , 四次光刻 , 光刻胶 , 灰化

感应耦合等离子体干法刻蚀中光刻胶异常变性的改善

徐纯洁 , 张福刚 , 崔立加 , 张雪峰 , 徐浩 , 刘日久 , 李根范 , 王世凯 , 郑载润

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20173204.0265

通过不同感应耦合等离子体刻蚀条件下进行的玻璃基板发生光刻胶变性的位置,研究光刻胶变性与下部电极结构的相关性.研究结果表明:下部电极的Dam区对玻璃基板的冷却效果较差,导致该区域的玻璃基板上光刻胶容易产生变性.经过对下部电极Dam区的改造可以有效增大玻璃基板的冷却范围,改善光刻胶变性残留问题.

关键词: 感应耦合等离子体 , 干法刻蚀 , 下部电极 , 光刻胶 , 湿法去胶

GMA改性超支化聚合物的合成及在光致抗蚀剂中的应用

熊小梅 , 刘敬成 , 刘仁 , 贾秀丽 , 江金强 , 刘晓亚

高分子材料科学与工程

通过巯基链转移支化聚合法,以4-乙烯基苄硫醇(VBT)为支化单体,丙烯酸正丁酯(BA)、苯乙烯(St)、丙烯酸(AA)为共聚单体,偶氮二异丁腈(AIBN)为引发剂,丙二醇甲醚醋酸酯(PMA)为溶剂,合成了HBPs.利用甲基丙烯酸缩水甘油酯(GMA)环氧基与HBP羧基的反应,向HBP中引入双键制备了具有碱溶性和光固化特性的G-HBP.采用FT-IR、1 H-NMR、DSC、凝胶色谱(GPC)-激光光散射(LS)-示差黏度(DV)三检测仪表征了聚合物的结构及性能,验证了其超支化结构;将合成的G--HBP用作负性光致抗蚀剂的主体树脂,测试了光致抗蚀剂显影成像过程参数.结果表明,显影时间为40 s,去膜时间为30 s,感度级数为7级.抗蚀剂性能优异,分辨率可达到40 μm.

关键词: 超支化 , 巯基链转移 , 光致抗蚀剂

光刻胶用底部抗反射涂层研究进展

王宽 , 刘敬成 , 刘仁 , 穆启道 , 郑祥飞 , 纪昌炜 , 刘晓亚

影像科学与光化学 doi:10.7517/j.issn.1674-0475.2016.02.123

随着微电子工业的蓬勃发展,光刻技术向着更高分辨率的方向迈进,运用底部抗反射涂层有效消除光刻技术中的驻波效应、凹缺效应,提高关键尺寸均一性和图案分辨率,引起了广大研究者的关注.本文简要介绍了光刻胶和光刻技术,底部抗反射涂层的分类、基本原理、刻蚀工艺以及其发展状况.重点对底部抗反射涂层的最新研究进展进行了总结,尤其是碱溶型底部抗反射涂层在光刻胶中的应用研究,最后对底部抗反射涂层的发展前景和方向进行了展望.

关键词: 光刻胶 , 光刻技术 , 底部抗反射涂层

RAFT聚合法合成甲基丙烯酸酯共聚物及其在负性光致抗蚀剂中的应用

林立成 , 徐文佳 , 刘敬成 , 刘仁 , 穆启道 , 刘晓亚

影像科学与光化学 doi:10.7517/j.issn.1674-0475.2016.04.371

以甲基丙烯酸(MAA)、甲基丙烯酸苄基酯(BZMA)、甲基丙烯酸羟乙酯(HEMA)和丙烯酸正丁酯(BA)为共聚单体,偶氮二异丁腈(AIBN)为引发剂,2-(十二烷基三硫代碳酸酯基)-2-甲基丙酸(DMP)为链转移试剂,采用可逆加成-断裂链转移聚合(RAFT)制备了甲基丙烯酸酯共聚物(PMBBH).利用傅立叶红外光谱(FT-IR)、核磁共振氢谱(1HNMR)和凝胶渗透色谱(GPC)对共聚物的结构进行了表征.以共聚物PMBBH为基体树脂制备了负性光致抗蚀剂,考察了PMBBH的分子量对光致抗蚀剂分辨率的影响.结果表明,以数均分子量为5.45×103g/mol,重均分子量为7.79×103 g/mol的PMBBH-2作为基体树脂时,该光致抗蚀剂得到的图像轮廓清晰,图形分辨率可达50μm.

关键词: 可逆加成-断裂链转移聚合(RAFT) , 甲基丙烯酸酯共聚物 , 光致抗蚀剂

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