马瑞新
,
李士娜
,
锁国权
,
任磊
材料科学与工艺
为明确溅射偏压对ITO薄膜性质的影响,用射频磁控溅射法于室温在玻璃衬底制备出ITO透明导电薄膜,研究了不同偏压下ITO薄膜的生长模式、光学和电学性能.结果表明：随着偏压的增加,薄膜沉积模式经历了沉积、沉积和扩散、表面脱附3种方式;AFM和SEM显示,偏压为100 V时,膜层表面光洁、均匀,粗糙度最小,均方根粗糙度为1.61 nm;XRD分析表明偏压会影响与薄膜的择优取向,偏压为100 V时,薄膜晶粒取向为（222）面;薄膜偏压为120 V时,薄膜的光电性能最佳,电阻率最低为2.59×10-4Ω.cm,可见光区的平均透过率在85%以上;偏压的大小使薄膜的吸收边发生了＂蓝移＂或＂红移＂.
关键词:
ITO薄膜
,
偏压
,
生长模式
,
微观结构
,
光电性能
王钰萍
,
叶春丽
,
吕建国
,
丛宏林
,
江忠永
,
叶志镇
材料科学与工程学报
本文采用直流磁控溅射技术在玻璃衬底上制备了AZO／Cu、Cu／AZO和AZO／Cu／AZO三种复合结构多层膜，研究了生长温度对多层膜特性的影响，发现AZO／Cu双层薄膜具有最优的光电性能，其最佳生长温度为100～150℃。文中进一步考察了生长温度对AZO／Cu双层薄膜结构性能和表面形貌的影响，结果表明：合适的生长温度有利于改善AZO／Cu双层薄膜的晶体质量，进而提高其光电性能；150℃下沉积的薄膜具有最佳品质因子1．11×10^-2Ω^-1，此时方块电阻为8．99Ω／sq，可见光透过率为80％，近红外反射率约70％。本文在较低温度下制备的AZO／Cu双层膜具有较优的透明导电性和良好的近红外反射性，可以广泛应用于镀膜玻璃、太阳能电池、平板显示器等光电领域。
关键词:
AZO
,
多层结构薄膜
,
光电性能
,
生长温度
孙海燕
,
马海红
,
徐卫兵
,
周正发
高分子材料科学与工程
用GRIM (Grignard Metathesis Method)合成了聚(3-溴己基噻吩),并在硫代乙酸钾和氢化铝锂的作用下合成了疏基化的P3HT衍生物聚(3-(6-巯基己基)噻吩).通过红外光谱、核磁共振波谱、凝胶渗透色谱、紫外-可见光谱、荧光光谱以及电化学分析对中间产物和最终产物的结构和光电性能进行了表征.结果表明,所合成聚合物与目标产物的结构一致,聚合物的数均相对分子质量为5621,多分散系数为1.39,在氯仿溶液中最大吸收波长为408 nm,最大发射波长为545 nm,电化学能隙为1.81 eV.
关键词:
聚(3-己基噻吩)
,
巯基化
,
合成
,
表征
,
光电性能
来国红
,
余志强
,
张昌华
,
廖红华
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2015.18.033
基于密度泛函理论的第一性原理计算,研究了氧和硒掺杂对单层二硫化钼电子结构与光电性质的影响.结果表明,单层二硫化钼属于直接带隙半导体,其带隙宽度为1.64 eV.单层二硫化钼的价带顶主要由S-3p态电子和Mo-4d态电子构成,而其导带底则主要由Mo-4d态电子和S-3p态电子共同决定;同时通过氧和硒掺杂,使单层二硫化钼的禁带宽度变窄,光吸收特性增强,研究结果为二硫化钼在光电器件方面的应用提供了理论基础.
关键词:
第一性原理
,
单层二硫化钼
,
电子结构
,
光电性质
段军红
,
何兴道
,
高益庆
,
肖文波
,
余达祥
,
施培琴
,
江茫
,
刘智昂
材料导报
介绍了一维SnO_2纳米结构的制备方法,重点阐述了气相合成和液相合成的生长机理,评述了几种典型一维纳米结构的合成、微结构及形成机理,综述了一维SnO_2纳米结构的光致发光、光响应、光电导、电输运、场发射及气敏特性方面的研究结果,并展望了未来的研究方向.
关键词:
SnO_2
,
一维纳米结构
,
制备
,
光电性质
姜晶
,
吴志明
,
王涛
,
郭正宇
,
于贺
,
蒋亚东
材料导报
黑硅是一种新型的硅材料,具有优异的光电性质.概括了Eric Mazur以及其他研究者近年来关于黑硅的研究工作,详细介绍了黑硅的制备与产生机理以及黑硅的吸收、发光、场发射与光谱响应等性质,并指出了黑硅在红外探测器、太阳能电池以及平板显示器等领域的重要潜在应用价值.
关键词:
黑硅
,
飞秒激光器
,
微构造
,
光电性质
苏虹
,
査钢强
,
高俊宁
,
介万奇
功能材料
采用近空间升华法在FTO玻璃衬底上制备CdZnTe多晶厚膜,并采用扫描电镜（SEM）、能谱仪（EDS）、X射线衍射仪（XRD）、紫外-可见光谱仪、I-V测试仪等对CdZnTe厚膜的表面形貌、成分、结构以及光电性能进行分析表征。结果表明,所制备的CdZnTe膜均匀致密,随生长时间的延长,晶粒尺寸明显增大;不同厚度的CdZnTe膜均表现出沿（111）晶面的择优生长;CdZnTe厚膜的禁带宽度在1.53～1.56eV之间;电阻率在1010Ω.cm数量级,具有较好的光电响应,试制的薄膜探测器可用作计数型探测器。
关键词:
近空间升华法
,
CdZnTe厚膜
,
薄膜探测器
,
光电性能
叶春丽
,
王钰萍
,
吕建国
材料科学与工程学报
采用直流磁控溅射方法在玻璃衬底上室温生长了AZO/Cu双层薄膜,Cu层厚度控制在9nm,研究了AZO层厚度对薄膜电学和光学性能的影响。当AZO层厚度为20～80nm时,AZO/Cu双层薄膜具有良好的综合光电性能,方块电阻为12～14Ω/sq,可见光平均透过率为70～75%,品质因子为2×10-3～5×10-3Ω-1。AZO/Cu双层薄膜可以观察到Cu（111）和ZnO（002）的XRD衍射峰。通过退火研究表明,AZO/Cu双层薄膜的光电性能可在400℃下保持稳定,具有良好的热稳定性。本研究制备的透明导电AZO/Cu双层薄膜具有室温制程、综合光电性能良好、结晶性能较好、稳定性高的优点,可以广泛应用于光电器件透明电极及镀膜玻璃等领域。
关键词:
AZO
,
双层薄膜
,
光电性能
,
室温生长
於黄忠
功能材料
报道了聚噻吩（P3HT（poly（3-hexylthio—phene））及P3HT与C㈤的衍生物PCBM（6，6-phenyl C61-butyric acid methylester）共混体系的光致发光现象，分析了不同温度热处理对聚噻吩（P3HT）与C60的衍生物PCBM共混体系薄膜的光致发光谱的影响。结果表明，随着热处理温度的升高，P3HT：PCBM共混体系所成膜的峰强度增大，当温度升高至130℃时，共混膜的光致发光谱峰的强度趋于最大，这说明热处理有利于共混体系中高分子链的有序排列。
关键词:
热处理
,
聚合物
,
光电性能
,
共混体系
邓杰
,
陶杰
,
高洁
,
秦琦
功能材料
采用原位化学氧化法,在酸性TiO2溶胶中未加分散剂制备了聚苯胺修饰的TiO2稳定溶胶,并以涂刮法在柔性导电塑料薄膜上成膜。利用FT-IR、XRD、TEM、选区电子衍射、紫外-可见光谱、光电流-电压曲线对所制备的复合溶胶及复合膜进行了表征。结果表明TiO2与聚苯胺之间实现了结构上的复合,聚苯胺的引入改善了TiO2膜对太阳光的利用率,提高了TiO2膜的光电响应性能。这种用复合溶胶制备聚苯胺/TiO2复合膜的方式扩大了成膜基底的范围。
关键词:
聚苯胺/TiO2
,
复合溶胶
,
纳米复合膜
,
光电性能
,
制备
