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镍基合金表面电化学表面改性

张胜寒 , 连佳 , 冯玲

腐蚀与防护

分别在硼酸缓冲溶液(pH=8.4)和0.1mol/LH28O4溶液中对镍基合金600和800进行电化学表面改性;对镍基合金表面氧化膜(改性前和改性后)进行动电位扫描、Mott-Schottky曲线测定以及利用光电流法绘制光电流谱。结果表明,镍基合金在酸性溶液中平带电位发生明显正移,载流子浓度升高,且在同样的电位范围呈现不同的半导体性质;电化学表面改性后,镍基合金生成的表面钝化膜平带电位没有发生明显变化,载流子浓度明显减小,表面钝化膜溶解的速度降低,耐蚀性能得到改善。

关键词: 镍基合金 , 氧化膜 , 光电流 , 电化学改性

钠离子对TiO_2薄膜结构及其光催化活性的影响

张志宏 , 赵莲花 , 任璐萍

材料科学与工程学报

采用溶胶-凝胶浸渍提拉法在不同玻璃基板上制备TiO_2薄膜,并通过降解浸渍在薄膜表面的甲基蓝来评价其光催化活性.利用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)和紫外-可见(UV-Vis)吸收光谱等研究了晶型、表面元素分析和光吸收性能.并采用平行电极法测定TiO_2薄膜的光电流,研究了薄膜表面载流子的复合情况.结果表明,薄膜的催化性能主要与基板热扩散到薄膜中的Na~+和晶相相关.Na~+抑制锐钛矿相TiO_2的形成,并且在一定条件下促进由锐钛矿向金红石相的转变.Na~+的扩散对TiO_2晶粒尺寸影响不大.重要的是,扩散至薄膜的Na~+不仅影响TiO_2薄膜的晶相转变,而且成为光生电子与空穴的复合中心,同时影响其光催化活性.

关键词: TiO_2薄膜 , 光电流 , 离子扩散 , 光催化

电化学Fe掺杂增强FTO薄膜的可见光光电化学性能

肖仕清 , 郝丽华 , 谢萌阳 , 马荣伟 , 牛振江

电镀与涂饰 doi:10.19289/j.1004-227x.2017.09.004

通过在FeSO4溶液中将FTO(F掺杂SnO2)导电玻璃电化学阴极极化,随后在500℃空气中热氧化,制备出对可见光有响应的Fe掺杂FTO薄膜.用扫描电子显微镜(SEM),X射线衍射(XRD)和X射线光电子能谱(XPS)表征了薄膜的形貌、结构和表面特性.在可见光下测试了薄膜在1.0 mol/L NaOH溶液中零偏压下的光电流-时间曲线.结果显示,电化学修饰后的FTO薄膜表面呈纳米多孔形貌,薄膜中有1%(原子分数)左右的Fe元素掺杂且存在正交结构SnO2和四方结构SnO2两种物相.Fe掺杂FTO的光电流密度为0.5 μA/cm2,比无Fe掺杂的FTO薄膜(0.019 μA/cm2)显著增强.

关键词: 氟掺杂二氧化锡 , 铁掺杂 , 阴极极化 , 可见光 , 光电流

La掺杂TiO2薄膜的制备及其光电流研究

朱晓东 , 冯威 , 周家荣 , 张雨生 , 雷旭 , 曾强风

人工晶体学报

采用溶胶凝胶-浸渍提拉法在ITO导电玻璃表面制备了纯TiO2薄膜和La掺杂TiO2薄膜,对其进行350℃、450℃、550℃保温2h热处理.利用XRD、SEM、EDS、XPS对样品结构、形貌、成分进行表征,利用电化学工作站对薄膜进行光电流测试,研究了La掺杂以及不同热处理温度对TiO2薄膜结构及光电流的影响.结果表明:La掺杂有细化TiO2晶粒和抑制锐钛矿相向金红石相转变的作用.随热处理温度提高,纯TiO2薄膜与La掺杂TiO2薄膜光电流密度均先增大后减小,450℃热处理后纯Ti02薄膜光电流密度为180 μA·cm-2,此温度下La掺杂TiO2薄膜光电流密度为650 μA·cm-2,是纯TiO2薄膜的3.6倍.

关键词: TiO2薄膜 , La掺杂 , 热处理 , 光电流

硅NPN型红外光电晶体管输出光电流及线性度的研究

周涛 , 陆晓东 , 吴元庆

人工晶体学报

利用TCAD半导体器件仿真软件详细地分析了在不同上表面非金属接触区域复合速率(FSRV)、光强(Pin)及光照基区横向宽度(SBL)的情况下,硅NPN红外光电晶体管输出光电流(IL)及输出光电流线性度的变化特点和规律.仿真结果表明:当SBL一定时,随着FSRV的增大,在不同P.的情况下,光电晶体管的IL均减小.当FSRV较小(50~5000 cm/s)时,不同Pin情况下光电晶体管的IL差别较小.当FSRV较大(>5000 cm/s)时,随着FSRV的增大,不同Pin情况下光电晶体管的IL显著降低.当FSRV—定时,随着SBL的增大,不同Pin情况下光电晶体管的IL均有不同程度的增大.随着SBL和Pin的进一步增大,不同FSRV情况下的IL均逐渐趋于饱和状态.当SBL一定时,FSRV越小,IL进入饱和状态所对应的临界Pin越小.当FSRV—定时,SBL越大,IL进入饱和状态所对应的临界Pin越小.

关键词: 光电晶体管 , 光照基区 , 光电流 , 输出特性 , 线性度 , 优化

p型Na掺杂ZnMgO薄膜的光电导性能

薛雅 , 叶志镇 , 陈凌翔 , 叶春丽

材料科学与工程学报

采用脉冲激光沉积(PLD)方法在石英衬底上制备p型Na掺杂ZnMgO薄膜,薄膜在氮气气氛中600℃退火60 s,具有较好的光电性能.在室温下分别用波长254nm的紫外光和波长630nm的红色激光对样品进行了光电导性能测试.两种光照下,光电流均瞬间上升,且光响应度与外加偏压具有线性相关性.紫外光照下p型Na掺杂ZnMgO薄膜的光电流变化比红色激光照射下要显著.

关键词: Na掺杂 , p型ZnMgO , 光电导

TiO2纳米管负载纳米金的制备及其在紫外光下的光电性能

罗军 , 廖斌 , 陈一鸣 , 刘安东 , 刘培生

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2010.09777

利用直流磁控溅射法制备纳米金颗粒表面改性TiO2纳米管,并通过XRD,FESEM对其结构进行表征.在紫外光下测试其光电效应,结果发现在定电位和动电位下,纳米金改性后的TiO2纳米管产生的光电流都要比未改性的TiO2纳米管大.在定电位下(1.0V),Au/TiO2纳米管产生的光电流为0.4mA,是TiO2纳米管的1.8倍.在动电位下(-1.5~1.5V),当电位达1.5V时,Au/TiO2纳米管产生的光电流为0.75mA,是TiO2纳米管的3.75倍.

关键词: TiO2纳米管 , 直流磁控溅射 , 光电流

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