胡文远
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刘勋
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杨定明
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魏贤华
人工晶体学报
以Zn(NO_3)_2·2H_2O、CO(NH_2)_2 、Eu(NO_3)_3·6H_2O和LiNO_3·2H_2O为原料,采用均相共沉淀制备了粒径为20~40 nm的Eu,Li共掺的纳米ZnO荧光粉,用SEM、XRD、TG-DSC、FL等检测手段对样品进行了表征.结果表明:样品的荧光性能与热处理温度及Eu,Li的掺杂比例密切相关,掺杂的ZnO荧光粉呈现出Eu的特征发射,其发射主峰位于611 nm处.
关键词:
均相共沉淀
,
ZnO
,
纳米
,
荧光
王成艳
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周勇
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罗曼
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刘兴云
,
鲁池梅
,
刘红日
,
王国洪
材料导报
以Zn(NO3)2·6H2O为初始原料,以乙二醇甲醚作溶剂,乙醇胺为沉淀剂,采用水热法制备了不同形貌的ZnO粉体.通过X射线衍射、扫描电镜、荧光光谱等测试手段对不同形貌的ZnO粒子进行了表征.SEM结果表明调节反应物浓度和反应温度能够控制ZnO的尺寸和形貌.荧光光谱测试表明ZnO的紫外发射峰住为399 nm,随反应温度升高而发生宽化和红移,而绿光发射峰在453~493nm之间分裂为4个次级峰.
关键词:
氧化锌
,
水热法
,
光致发光
,
激子
曹明杰
,
赵明
,
庄大明
,
郭力
,
欧阳良琦
,
孙汝军
,
詹世璐
材料研究学报
doi:10.11901/1005.3093.2015.697
通过磁控溅射方法制备一种新型薄膜晶体管有源层材料Nb掺杂的氧化铟锌(IZO)非晶薄膜(a-INZO).运用XRD、光致发光、Hall测试等检测方法分析INZO薄膜微观结构、缺陷状态以及电学性能.光致发光结果表明,INZO相较于Ga掺杂的IZO (IGZO)具有更低的深能级缺陷密度.Hall效应测试结果表明,通过调节溅射过程中氧气流量可有效控制INZO薄膜载流子浓度,使之适合于制备薄膜晶体管(TFT)器件.INZO薄膜迁移率随载流子浓度的变化规律符合渗流传导模型,载流子浓度较低时,迁移率随载流子浓度增加而增加;载流子浓度较高时,迁移率下降,光学数据的分析表明其带尾态宽度较大,结构更无序.提高溅射基底温度可有效提高迁移率,但对薄膜无序度的改善并不明显.
关键词:
无机非金属材料
,
Nb掺杂IZO
,
INZO
,
光致发光
,
迁移率
,
磁控溅射