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磷含量对真空蒸镀磷掺杂多晶硅薄膜的影响

骆旭梁 , 王思源 , 王宙 , 雍帆 , 付传起

材料导报 doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2016.02.013

采用真空蒸镀的方法制备磷掺杂多晶硅薄膜,研究了磷含量对多晶硅薄膜的表面形貌、组织结构、晶粒尺寸及晶化率的影响.结果表明:随着磷掺杂分数的增加,多晶硅薄膜的晶粒尺寸和晶化率表现出先增加后降低的趋势,当磷掺杂分数为1%时,薄膜晶粒尺寸达到最大值,为0.55 μm,晶化率为96.82%,且晶粒的均匀性最佳.

关键词: 真空蒸镀 , 多晶硅薄膜 , 磷掺杂 , 晶化率

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