张来启
,
段立辉
,
林均品
材料研究学报
研究了不同SiC体积分数原位合成MoSi2-SiC复合材料在700℃空气中1000h的长期氧化行为.结果表明:复合材料氧化1000 h后,均未发生pest现象.复合材料的氧化抗力明显好于单一MoSi2,原位合成复合材料的氧化抗力好于传统的热压商用MoSi2粉末和SiC粉末混合物制备的复合材料(外加复合材料).复合材料氧化膜相组成仅为非晶SiO2,材料的氧化过程主要是O2与MoSi2的作用,SiC未发生氧化.材料在700℃下仍发生硅、钼的同时氧化,因MoO3的挥发较快没有晶须形成,因而在材料表面快速形成一薄层连续、致密的非晶SiO2保护膜,使材料表现出优异的长期抗氧化性.
关键词:
材料失效与保护
,
MoSi2-SiC复合材料
,
原位合成
,
低温氧化行为
,
pest现象
张来启
,
潘昆明
,
段立辉
,
林均品
金属学报
doi:10.3724/SP.J.1037.2013.00527
研究了不同SiC体积分数原位合成MoSi2-SiC复合材料在500℃的氧化行为.经1000 h氧化的结果表明:复合材料的氧化抗力明显好于单一MoSi2,原位合成复合材料的氧化抗力好于传统的热压商用MoSi2粉末和SiC粉末混合物制备的复合材料(外加复合材料),复合材料氧化1000 h后未发生pest现象.其氧化动力学曲线分为:孕育期、快速氧化期和稳态氧化3个阶段.氧化膜的相组成为MoO3,非晶SiO2和β-SiC,材料的氧化过程主要是O2与MoSi2的作用,SiC未发生氧化.氧化5,10和20 h后样品表面形貌观察结果表明:材料的氧化优先在相界处发生,初生氧化物以无定形态存在；随着氧化的进行,逐渐形成MoO3晶须和非晶SiO2为主的团絮状氧化物；MoO3晶须优先在表面凸凹不平处形核并长大.
关键词:
原位合成
,
MoSi2-SiC复合材料
,
低温氧化行为
,
pest现象
