石璐丹
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刘科高
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张力
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高稳成
表面技术
目的：获得结晶好、连续均匀的 CuS 薄膜。方法采用电沉积方法制备 CuS 薄膜,研究络合剂、硫源及铜硫离子比例对镀液电化学性能的影响,分析不同沉积电位下所得薄膜的相组成。结果柠檬酸钠的络合效果最好,EDTA 最差；硫代硫酸钠作为硫源时,其还原电位较硫脲为硫源时正,氧化电位较负,水平距离值较小,更容易实现共沉积；铜硫离子比例为1时,施镀最合适。沉积电位为-0.8 V 时,薄膜的XRD 图谱中有氧化亚铜的衍射峰；当沉积电位在-0.9 V 时,生成了 Cu2 S 相；沉积电位在-0.9~-1.2 V时,生成了目标产物 CuS,并且-1.2 V 时的衍射峰强度比较高,结晶良好。结论最佳沉积条件如下：柠檬酸钠为络合剂,硫代硫酸钠为硫源,铜硫离子比为1,沉积电位为-1.2 V。
关键词:
电沉积
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CuS 薄膜
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镀液性能
