姜礼华
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谭新玉
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肖婷
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向鹏
硅酸盐通报
随着纳米技术的进步,量子点纳米材料在理论和实验研究方面受到越来越多的关注.由于量子点阵列优异的物理性能与其空间分布的有序性十分相关,空间分布有序量子点阵列的大面积重复性制备已成为高性能纳米光电子器件商业化应用的关键.近几十年来,在量子点空间排列分布有序性的提高、缺陷态的减少、成核位置可控以及大面积重复制备方面人们已做了大量研究.本文主要讨论和综述当前在制备空间分布有序硅/锗(Si/Fe)量子点方面的技术工艺和成果,并展望其未来技术发展思路和方向,希望为今后进一步探索研究大面积空间分布有序Si/Ge量子点阵列的制备提供信息参考.
关键词:
Si/Ge量子点
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空间分布有序
,
多层膜结构
,
图案化衬底
周艳华
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杨杰
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王茺
,
杨宇
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2015.22.001
为深入理解生长因素及应变对量子点形成的影响,科研工作者采用动力学蒙特卡罗方法对量子点的生长进行了大量研究。简要概括了采用动力学蒙特卡罗法(kinetic monte carlo,KMC)模拟量子点生长的研究进展。主要从模型结构和原子间相互作用势的差异来介绍量子点二维层状生长向三维岛状生长过渡、成核位置、量子点尺寸分布以及量子点形貌转变等内容。此外还简单介绍了图形衬底上有序量子点生长的模拟研究进展,为量子点生长及应用奠定了坚实的基础。
关键词:
动力学蒙特卡罗
,
量子点
,
相互作用势
,
自组织生长
,
图案衬底
汪桂根
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崔林
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韩杰才
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王新中
,
严帅
,
秦国双
人工晶体学报
首先在蓝宝石衬底上旋涂PMMA/copolymer双层胶,然后再进行电子束光刻处理,随后溅射铝膜,并结合剥离技术,从而制备图形化金属铝膜；最后再采用两步热处理法,使图形铝膜发生固相外延反应.在此过程中,侧重于电子束光刻和高温热处理的工艺优化研究.SEM测试结果表明,图形化铝膜在450℃低温氧化热处理24h后,其图形形貌没有发生明显改变；在温度低于1200℃的高温热处理1h后,图形仍然存在.HRXRD分析表明,图形化铝膜在450℃低温热处理24h后再在1000℃高温热处理1h,可在蓝宝石衬底上形成氧化铝外延薄膜；并且相比于基片,氧化铝外延薄膜的结晶质量还有所提高.本方法成功实现了高效大功率用LED蓝宝石图形衬底的制备.
关键词:
蓝宝石
,
图形衬底
,
电子束光刻
,
剥离
,
发光二极管
李宝吉
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吴渊渊
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陆书龙
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张继军
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2016.16.007
研究了不同衬底上MBE技术生长的InGaN的光学和结构特征.结果表明,在相同生长条件下,用图形化衬底生长的InGaN材料比用普通衬底生长的材料有较低的表面粗糙度和背景载流子浓度及较强的发光强度.通过透射电子显微镜(TEM)观察,发现普通衬底生长的InGaN内部原子错排现象严重,而采用图形化衬底生长的InGaN原子排列清晰规则.这主要是因为图形化衬底材料外延初期为横向生长模式,这种生长模式可有效地抑制穿透位错在GaN材料体系中的纵向延伸,降低GaN缓冲层中的位错密度,进而抑制外延InGaN材料中穿透位错和V型缺陷的产生.
关键词:
InGaN
,
图形化衬底
,
分子束外延
,
晶体质量
