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应用低介电材料丙烯酸酯树脂作为TFT-LCD的钝化层材料

周伟峰 , 薛建设 , 明星 , 刘翔 , 郭建 , 谢振宇 , 赵承潭 , 陈旭 , 闵泰烨

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20112601.0019

将具有低介电常数的丙烯酸酯树脂作为薄膜晶体管液晶显示器的钝化层整合到阵列基板中.与传统的SiN<,x>薄膜(ε≈7)相比,丙烯酸酯树脂钝化层具有平坦的表面,其低介电常数(ε≈4.5)可以降低器件的RC延迟,这都将有利于提高薄膜晶体管液晶显示器的开口率,从而提高显示器的亮度,降低能耗和制作成本.

关键词: 薄膜晶体管液晶显示器 , 低介电常数 , 丙烯酸酯树脂 , 钝化层

铜化学机械平坦化过抛过程中平坦化效率的计算方法

高娇娇 , 刘玉岭 , 王辰伟 , 王胜利 , 崔晋

稀有金属 doi:10.13373/j.cnki.cjrm.2016.08.008

为了确保整个晶圆片上残余铜的去除,精抛后的过抛步骤至关重要,然而在铜过抛过程中会产生铜碟形坑和介质蚀坑等问题,去除残余铜的同时控制铜碟形坑和介质蚀坑是铜化学机械平坦化(CMP)研究的最重要的课题之一.为了解决这一问题,提出了一种铜过抛化学机械平坦化过程中基于氧化反应的平坦化效率计算方法.实验显示该方法计算结果与实验数据一致.采用碱性铜精抛液对铜光片进行抛光,获得的数据显示,增加过氧化氢浓度可以获得较低的铜去除率以及几乎为零的阻挡层去除速率.布线片CMP的结果表明,增加过氧化氢浓度可以获得较小的碟形坑.对含有不同浓度过氧化氢的抛光液进行电化学实验研究,研究结果表明在铜表面有钝化层形成.综上所述,该计算方法是计算过抛过程平坦化效率的适当方法.

关键词: 平坦化效率 , 碱性铜精抛液 , 过抛 , 过氧化氢 , 碟形坑 , 钝化层

a-Si TFT LCD过孔尺寸的缩减

董杰 , 金相起 , 朴范求 , 金浩熙

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2008.06.009

为了提高薄膜晶体管液晶显示器的开口率,研究了在优化的钝化层沉积条件下的过孔尺寸.结果表明,随着钝化层沉积温度的升高,钝化层的刻蚀率在下降,过孔的尺寸变小.当钝化层沉积温度在360℃时,过孔尺寸为8.20 μm.

关键词: 钝化层 , 沉积温度 , 过孔尺寸

过孔刻蚀工艺优化对过孔尺寸减小的研究

李田生 , 陈旭 , 谢振宇 , 徐少颖 , 闵泰烨 , 张学智

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20142905.0674

为了适应TFT-LCD小型化与窄边框化以及在面板布线精细化的趋势,提高工艺设计富裕量以及增加面板的实际利用率,之前做过钝化层沉积工艺优化来减小液晶面板阵列工艺中连接像素电极与漏极的过孔尺寸的研究.本文在此基础上进行过孔刻蚀工艺的优化,从而最终达到进一步减小过孔尺寸实现TFT-LCD小型化与窄边框化的趋势.通过设计实验考察了影响过孔大小刻蚀主要影响因素(功率、压强、气体比率、刻蚀速率选择比).实验结果表明,在薄膜沉积优化的基础上可使过孔的尺寸再降低10%~20%.对其进行了良率检测与工艺稳定性评价,最终获得了过孔尺寸减小的方案,并成功导入到产品生产中,从而提高了产品品质.

关键词: 钝化层 , 刻蚀 , 过孔

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