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大尺寸HVPE反应器寄生沉积的数值模拟研究

黄业 , 左然 , 唐斌龙 , 张红 , 刘鹏 , 张国义

人工晶体学报

在氢化物气相外延(HVPE)生长GaN厚膜中,反应腔壁面总会产生大量的寄生沉积,严重影响薄膜生长速率及质量.本文针对自制的大尺寸垂直式HVPE反应器,通过数值模拟与实验对比,研究了反应腔壁面沉积以及GaN生长速率的分布规律,特别是寄生沉积分布与载气流量的关系.研究发现:在基准条件下,顶壁寄生沉积速率...

关键词: HVPE反应器 , GaN , 寄生沉积 , 数值模拟