李鸿渐
,
石瑛
,
赵世荣
,
何庆尧
,
蒋昌忠
功能材料
对p-GaN/Ni/Au(5/10nm)界面处进行Pt+注入,注入后的样品在空气中快速热退火处理5min,发现金属电极和p-GaN的欧姆接触特性得到明显的改善,接触电阻率从101-Ω·cm2数量级降低到10-3Ω·cm2数量级.通过研究在不同Pt+注入剂量(5×1015、1×1016、2×1014cm-2)和退火温度下接触电阻率的变化规律.在Pt+注入剂量为1×1016cm-2,300℃空气氛围中退火得到了最低的接触电阻率,为3.55×10-3Ω·cm2.探讨了Pt+离子注入引起欧姆接触改善的内在机制.
关键词:
p-GaN
,
欧姆接触
,
离子注入
,
退火
李鸿渐
,
石瑛
,
蒋昌忠
功能材料
优良的光电特性使得GaN材料成为当今半导体器件研究领域的热点,但高功函数和低载流子浓度使p-GaN表面难以制备低阻欧姆接触电极、严重妨害了GaN基器件的热稳定性和输出功率.如何制备具有低阻欧姆接触特性的p-GaN电极已成为一个关键的科学和技术问题.探讨了影响p-GaN欧姆接触特性的几个关键因素,如表面预处理工艺、电极材料的选择和厚度、退火工艺等,对此方面的最新进展进行评述和归纳,并提出自己的创新性研究思路.
关键词:
p-GaN
,
欧姆接触
,
表面处理
,
退火
,
电阻率
李鸿渐
,
石瑛
,
赵世荣
,
何庆尧
,
蒋昌忠
功能材料
首次采用离子注入工艺研究金属电极和p-GaN的欧姆接触特性.Zn为Ⅱ族元素,可以提高p-GaN表面的栽流子浓度,对p-GaN/Ni/Au(5/10nm)界面处进行Zn+注入.经Zn+注入后的样品在空气氛围中快速热退火处理5min,以减少离子注入带来的晶格损伤.研究发现Zn+注入改善了p-GaN/Ni/Au的欧姆接触特性,接触电阻率ρc从10-1Ω·cm2数量级降低到10-3Ω·cm2数量级.研究了不同Zn+注入剂量(5×1015、1×1016、5×1016cm-2)对接触电阻率的影响,在注入剂量为1×1016cm-2、300℃下退火得到最优的接触电阻率为1.45×10-3Ω·cm2.用扫描电子显微镜观察了离子注入前后的表面形貌变化,探讨了接触电阻率改变的内在机制.
关键词:
p-GaN
,
欧姆接触
,
离子注入
,
退火
罗浩俊
,
胡成余
,
姚淑德
,
秦志新
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2006.02.002
在用MOCVD方法生长的p-GaN薄膜中注入Mg离子,然后在N2气氛下在850～1150℃之间快速退火,研究了Mg+离子注入后样品退火前后的结构、光学和电学性质.结果表明,离子注入使GaN晶体沿着a轴和c轴方向同时膨胀.在离子注入后的p-GaN薄膜的拉曼散射谱中出现波数为300 cm-1和360 cm-1两个新峰,其强度随着退火温度而变化.这两个新峰分别对应于布里渊区边界的最高声学声子支的振动模式和局域振动模式.消除这两个损伤引起的峰的临界温度是不同的.注入剂量1×1014cm-2是一个临界值,对于注入剂量高于这个临界值的样品,高温退火不能使其晶体质量全部恢复.
关键词:
无机非金属材料
,
p-GaN
,
离子注入
,
拉曼散射
郑品棋
,
范广涵
,
李述体
,
孙惠卿
,
郑树文
,
邢海英
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2007.06.013
光提取效率的提高对GaN基蓝光LED的广泛应用有重要的影响.计算了以Ni/Au基金属化方法形成的p型GaN电极的折射率,通过分析电极层中的能流传输情况在电极上设计高折射率的耦合层来减少电极层对光的吸收以及提高光的透射,耦合层通过采用圆台结构来减少光在空气/耦合层界面上的全反射以提高GaN基蓝光LED的光提取效率.应用传输矩阵法计算的结果表明,光学厚度为π/2,折射率为2.02的ITO耦合层能使450 nm的蓝光在膜系上的透射率提高到75%.
关键词:
光电子学
,
减吸收
,
能流传输分析
,
p-GaN
,
抗全反射
