石培培
,
严启荣
,
李述体
,
章勇
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2012.03.014
在(0001)蓝宝石衬底上利用金属有机化学气相沉积系统,分别生长含有p- AlGaN电子阻挡层和反对称n - AlGaN层的双蓝光波长发射的InGaN/GaN混合多量子阱发光二极管(LED).结果发现,与传统的具有p-AlGaN电子阻挡层的双蓝光波长LED相比,这种n- AlGaN层能有效改善电子和空穴在混合多量子阱活性层中的分布均匀性和减少电子溢出,并减弱双蓝光发射光谱对电流的依赖性.此外,基于这种双蓝光波长发射的芯片与YAG:Ce荧光粉封装成白光LED能实现高显色性的白光发射,在20 mA电流驱动下,6500 K色温时显色指数达到91,而基于单蓝光芯片的白光LED显色指数只有75.
关键词:
n-AlGaN
,
p-AlGaN
,
混合量子阱
,
双蓝光波长
,
显色指数
白云
,
麻芃
,
朱杰
,
刘键
,
刘新宇
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2010.01.015
在AlGaN pin型日盲紫外探测器结构中的p-AIGaN层上生长了Ni/Au和Pd/Au,并在600-850℃温度下进行快速热退火,测量其退火前后传输线模型中各金属接触间的电学性质.实验发现,Ni/Au与Pd/Au在p-AlGaN上表现出了不同的接触性能.为了更好的说明金属与p-AlGaN材料接触之间在退火后电流的变化,还测量了p-AlGaN材料裸片两点之间I-V曲线在退火前后的变化.实验表明,比起Ni/Au来,Pd/Au在p-AlGaN材料上制备欧姆接触具有一定的优势,并在文中进行了分析.
关键词:
p-AlGaN
,
高Al组分
,
欧姆接触
