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电化学组装一维纳米线阵列p型Bi₂Te₃温差电材料

王为 , 贾法龙 , 黄庆华 , 张伟玲 , 郭鹤桐 , 申玉田

无机材料学报

对p型Bi₂Te₃温差电材料的电沉积过程进行了研究,分析了添加剂对电沉积过程的影响.在此基础上,以孔径为50nm的阳极氧化铝多孔膜为模板,采用直流电沉积技术,在氧化铝多孔模板的纳米级微孔内电化学组装出了P型Bi₂Te₃纳米线阵列温差电材料.性能研究表明,P型Bi₂Te₃纳米线阵列的温差电性能远远超过具有相同组成的块状温差电材料。

关键词: p型温差电材料 , Bi₂Te₃ , electrochemical assembling , nanowire array

电化学组装一维纳米线阵列p型Bi2Te3温差电材料

王为 , 贾法龙 , 黄庆华 , 张伟玲 , 郭鹤桐 , 申玉田

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2004.03.012

对p型Bi2Te3温差电材料的电沉积过程进行了研究,分析了添加剂对电沉积过程的影响.在此基础上,以孔径为50nm的阳极氧化铝多孔膜为模板,采用直流电沉积技术,在氧化铝多孔模板的纳米级微孔内电化学组装出了p型Bi2Te3纳米线阵列温差电材料.性能研究表明,p型Bi2Te3纳米线阵列的温差电性能远远超过具有相同组成的块状温差电材料.

关键词: p型温差电材料 , Bi2Te3 , 电化学组装 , 纳米线阵列

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