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高电导率高晶化率p型微晶硅薄膜的制备

赵尚丽 , 杨仕娥 , 张丽伟 , 陈永生 , 陈庆东 , 卢景霄

材料导报

利用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,以B2H6为掺杂剂,在玻璃衬底上制备了厚度为40nm左右的p型微晶硅薄膜.为获得高电导率高晶化率的薄膜,采用正交实验法对衬底温度、氢稀释比及硼烷掺杂比等主要沉积参数进行初步优化.Raman光谱和电导率测试结果表明:(1)在实验选取的参数范围内...

关键词: RF-PECVD , p型微晶硅薄膜 , 暗电导率 , 晶化率