李楠
,
李瑛
,
王胜刚
,
王福会
,
龙康
中国腐蚀与防护学报
采用动电位极化曲线和Mott-Schottky分析等电化学测试手段，探讨了轧制纳米块体304不锈钢与普通304不锈钢在钝化膜的保护性能；运用点缺陷（PDM）模型, 分析了不同电位下在本文运用PDM模型,0.05 mol / L H2SO4 + 0.25 mol / L Na2SO4溶液中两种材料形成钝化膜的半导体性质，阐述了导致两种钝化膜保护性能差异的根本原因。结果表明：两 种材料表面钝化膜都具有n型半导体特征，氧空穴作为主要的载流子参与钝化膜形成和溶解过程；钝化膜中载流子密度与钝化膜的形成电位之间满足幂指数关系，载流子在两种材料表面的钝化膜中的扩散系数非常有接近，说明两种钝化膜遵从相似的形成和溶解机制，但轧制纳米块体304不锈钢中的载流子密度小于普通304不锈钢钝化膜中的载流子密度，从而使其钝化膜具有更好的保护性。
关键词:
纳米块体304不锈钢
,
passive film
,
oxygen vacancy
,
PDM
张国芳
,
张羊换
,
葛启录
,
刘卓承
,
张巍
,
张胤
稀土
采用水热法合成La3+、Eu3共掺杂纳米Ce1-x(La0.5Eu0.5)xO2-δ固溶体.利用X射线衍射技术(XRD)表征样品的相结构,并对固溶体的晶胞参数进行拟合.通过拉曼光谱及紫外可见漫反射光谱表征其电子跃迁性能及掺杂效应.XRD结果表明,双离子掺杂固溶限不小于x=0.30,样品晶粒尺寸小于20 nm,晶胞参数随着掺杂量的升高而逐渐增大.Raman光谱F2g振动峰的逐渐宽化及向低波数方向移动.紫外漫反射光谱表明,随着掺杂量的增大,固溶体能隙先蓝移后红移.
关键词:
CeO2
,
水热法
,
La3+及Eu3共掺杂
,
固溶限
,
氧空位
李泽全
,
胡蓉
,
郭晶
,
茹黎月
,
王海华
材料科学与工艺
为了研究TiO2氧空位形成的影响因素,用管式电阻炉在空气、Ar及不同温度下对TiO2烧结.采用扫描电子显微镜（SEM）、X射线衍射（XRD）和X射线光电子能谱（XPS）对烧结TiO2样品的微观形貌、物相组成、元素及价态进行了表征,研究了烧结温度、烧结气氛和Ar＋刻蚀对TiO2样品氧空位形成的影响.结果表明：相同气氛下,随着烧结温度的升高,TiO2氧空位浓度逐渐增大;相同温度下,惰性气氛有利于TiO2氧空位的产生;Ar＋刻蚀有利于TiO2氧空位的形成.
关键词:
氧空位
,
TiO2
,
烧结
,
Ar+刻蚀
查钢强
,
汤三奇
,
谭婷婷
稀有金属材料与工程
采用基于密度泛函理论的平面波超软赝势方法对含氧空位单斜相HfO2的电子结构和光学性质进行了计算.计算结果表明,氧空位缺陷的存在使得HfO2带隙中出现了缺陷态,主要由最近邻Hf原子的5d态组成.随后,结合计算的电子态密度分析了氧空位对HfO2材料介电常数和吸收系数的影响.氧空位存在时,在380～220 nm的紫外波段内出现了较弱的吸收峰.
关键词:
单斜相HfO2
,
氧空位
,
电子结构
,
光学性质
夏贯芳
,
刘廷禹
,
张涵
,
高肖丽
人工晶体学报
采用GULP软件研究了硅酸镥晶体的本征缺陷、力学性质和氧空位的迁移.采用已有的势参数计算得到的结构参数与实验结果吻合的很好.与其他的氧空位相比,Vo5的缺陷形成能最低,因此氧空位主要以Vo5的形式存在.O的弗伦克尔缺陷具有最低的缺陷形成能,所以氧的弗伦克尔缺陷可能是晶体中存在的最主要的本征缺陷.本文还计算了晶体的弹性常数、体积模量、压缩系数、杨氏模量、泊松比率等力学性质.通过计算相邻氧格位之间氧空位的迁移能,发现O1,O2,O3和O4之间的迁移比较容易.
关键词:
硅酸镥晶体
,
力学性质
,
本征缺陷
,
氧空位
应杏娟
,
倪争技
人工晶体学报
根据密度泛函理论,采用模拟计算软件CASTEP计算了含有氧空位钛酸钡晶体的电子结构和光学性质.结果表明,氧空位的存在没有在禁带中引入缺陷能级,但氧空位的存在对晶体的光学性质产生显著的影响.并得到氧空位的存在将引起钛酸钡晶体出现440～450 nm吸收峰的结论.
关键词:
第一性原理
,
电子结构
,
钛酸钡
,
光学性质
,
氧空位
谭婷婷
,
郭婷婷
,
李小晶
,
陈曦
,
冯丽萍
,
刘正堂
稀有金属材料与工程
研究了Cu/HfO2/ITO和TiN/HfO2/ITO 2种结构阻变存储器件的电阻转变特性.2种结构均表现出稳定的、可重复的双极电阻转变行为.Cu/HfO2/ITO器件的电阻转变机制是Cu导电细丝的形成,而对于TiN/HfO2/ITO器件,在TiN项电极和HfO2薄膜中会形成界面层,因此氧空位导电细丝的形成与断裂,是其主要的电阻转变机制.
关键词:
HfO2薄膜
,
电阻转变机制
,
金属细丝
,
氧空位
陈志刚
,
张玉珠
,
钱君超
,
王盟盟
,
陆秋月
机械工程材料
doi:10.11973/jxgccl201506010
通过仿生方法,以羽纹硅藻为模板,经钛盐溶液浸渍、煅烧去除模板后制得直径为10 μm左右的多孔TiO2微胶囊,研究了多孔TiO2微胶囊的结构特性以及其在可见光下降解亚甲基蓝溶液的催化性能.结果表明:煅烧后得到的多孔TiO2微胶囊具有多孔结构和较大的比表面积,并含有部分生物遗留下的氮元素;多孔结构及氮元素的掺杂使得多孔TiO2微胶囊具有优良的可见光催化降解亚甲基蓝效果.
关键词:
生物模板
,
硅藻
,
光催化降解
,
TiO2
,
氧空位
马腾
,
傅强
,
姚运喜
,
崔义
,
谭大力
,
翟润生
,
包信和
催化学报
doi:10.1016/S1872-2067(10)60102-7
采用扫描隧道显微镜和X射线光电子能谱对含有次表层Fe的Pt表皮结构(Pt skin),即0.4MLFe的Pt/Fe/Pt(111)表面,在1.1×10-7kPa氧气气氛退火过程中的变化进行了研究.结果表明,当退火温度为600K时,氧气在Pt/Fe/Pt(111)表面上解离吸附并诱导表面局域结构的重构;750K时次表层Fe可以扩散到表面并被氧化;当升至850K时,在样品表面形成单层FeO结构,并且FeO表面具有周期性的缺陷.这种缺陷是由于单层FeO薄膜的摩尔条纹单胞中fcc位上一个或多个氧原子缺失形成的,其中多原子空位被确定为缺失6个氧原子所致.FeO表面缺陷结构的研究为理解Fe-Pt催化剂在氧化气氛中的结构稳定性以及构造表面活性位提供一定的基础.
关键词:
铁
,
铂
,
双金属催化剂
,
氧化亚铁薄膜
,
氧空位缺陷
,
扫描隧道显微镜
赵银女
材料科学与工程学报
Ga1.5In0.5O3是一种潜在的紫外透明导电材料.用第一性原理计算了含氧空位的Ga1.5In05O3的结构参数、生成焓、能带结构、态密度、光吸收和光反射.氧空位的位置影响Ga1.5In0.5O3化合物的晶格常数和生成焓,含氧空位的Ga1.5In0.5O3是间接带隙半导体,其带隙宽度较本征Ga1.5In0.5O3带隙值变宽.氧空位VO(1)、VO(2)和VO(3)在Ga1.5In0.5O3中分别引入0.237eV、0.239eV和1.384eV的施主杂质能级,在吸收光谱中出现杂质吸收现象.氧空位降低Ga1.5In0.5O3吸收主峰和反射主峰的强度,在近红外区含VO(1)和VO(2)的Ga1.5In0.5O3的吸收系数和反射率较大,含VO(3)的Ga1.5In0.5O3的吸收系数和反射率较小.
关键词:
Ga2(1-x)In2xO3化合物
,
氧空位
,
电子结构
,
第一性原理
