季刚
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张云鹏
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颜世申
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梅良模
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张泽
金属学报
利用电子显微分析技术对高Co含量的室温铁磁性半导体Zn 1-x Co x O 1-δ 进行了微观表征.证明了氧含量是决定Zn 1-x Co x O 1-δ薄膜微观结构和磁性能的重要因素. 在缺氧环境下, 薄膜由含有大量氧缺位的纤锌矿结构的Zn 1-x Co x O 1-δ纳米晶(直径约5 nm)和填充其间的Zn-Co-O非晶相组成, 两相对薄膜宏观磁性均有贡献; 在富氧的环境下, 非晶Zn-Co-O相消失, 出现了CoO反铁磁相, 纤锌矿结构Zn 1-x Co x O 1-δ中的氧缺位大量减少, 晶粒长大到10-20 nm, 室温铁磁性逐渐减弱, 直至消失.
关键词:
室温铁磁性半导体
,
oxygen partial pressure
李渊
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王文文
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张俊英
功能材料
采用直流磁控溅射法制备了掺钨氧化铟（In2O3：W,IWO）薄膜,研究了制备工艺对薄膜表面形貌和光电性能的影响。结果表明薄膜的表面形貌与其光电性能有着紧密联系。氧分压显著影响薄膜的表面形貌进而对薄膜的光电性能产生影响,同时溅射时间的变化也显著影响薄膜的光电性能：随着氧分压以及溅射时间的升高,薄膜的电阻率均呈现先减小后增大的变化规律,在氧分压为2.4×10-1Pa条件下,制备样品的表面晶粒排布最细密,其电阻率达到6.3×10-4Ω.cm,载流子浓度为2.9×1020cm-3,载流子迁移率为34cm2/（V.s）,可见光平均透射率约为85%,近红外光平均透射率〉80%。
关键词:
In2O3∶W薄膜
,
直流磁控溅射
,
氧分压
,
溅射时间
,
表面形貌
,
光电性能
王英华
,
王新昌
,
李光明
,
张兵临
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田永涛
,
姚宁
人工晶体学报
利用未采用催化剂的真空热蒸发法合成了不同形貌的硅基ZnO纳米结构,研究了氧分压对纳米ZnO结构及光学性能的影响.研究结果表明氧分压对ZnO纳米结构的形貌及光学性能具有明显的影响,在氧分压为25%、10%和5%时制得的纳米ZnO结构分别为纳米线、纳米带和纳米梳.X射线衍射测试表明制得的不同ZnO纳米材料均为六方纤锌矿结构,并具有明显的c轴择优取向性.采用PL谱对制备纳米结构的光学性能进行了测试.
关键词:
热蒸发沉积法
,
ZnO纳米结构
,
氧分压
,
形貌
,
光学性能
孙建明
,
周婷婷
,
任庆荣
,
胡合合
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陈宁
,
宁策
,
王路
,
刘文渠
,
李东升
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20163106.0558
采用标准的液晶显示屏基板制备工艺制备出铟镓锌氧薄膜晶体管(IGZO-TFT),通过调节 IGZO 薄膜工艺中氧分压,研究不同氧分压对TFT器件电学性能的影响.实验结果表明,所有器件都展现出良好的电学特性,随着氧分压从10％增加到50％,TFT的阈值电压由0．5 V增加到2．2 V,而亚阈值摆幅没有发生变化.在栅极施加30 V偏压3600 s后,随着氧分压的增加,阈值电压向正向的漂移量由1 V增加到9 V.经过分析得出高氧分压的 IGZO-TFT器件中载流子浓度低,建立相同导电能力的沟道时所需要栅极电压会更大,阈值电压会增加.而在金属-绝缘层-半导体(MIS)结构中低载流子浓度会导致有源层能带弯曲的部分包含更多与电子陷阱相同的能态,栅介质层(GI)会俘获更多的电子,造成阈值电压漂移量较大的现象.
关键词:
铟镓锌氧薄膜晶体管
,
氧分压
,
阈值电压漂移
,
电子积累层
成日金
,
倪红卫
,
张华
,
贾绍凯
,
熊珊
钢铁
doi:10.13228/j.boyuan.issn0449-749x.20160389
为了研究铁矿石烧结及除尘灰焙烧脱砷问题,运用FactSage软件研究了不同氧分压、温度及碱度对含砷铁矿石烧结脱砷率、砷平衡组成、脱砷最终形态的影响,并对除尘灰焙烧脱砷流程进行热力学研究.结合烧结杯进行烧结试验,并在多气氛下利用焙烧除尘灰试验进行验证,运用XRD、SEM及EDS对矿相进行分析.结果表明,脱砷产物及脱砷率与温度、氧分压及碱度密切相关.在烧结过程中,残留在烧结矿中的砷,主要是固态砷酸盐,其他砷会以As4O6(g)等气态物质脱除.除尘灰中砷以固态As2O3(s)和As2O5(s)存在.在空气或厌氧气氛下焙烧除尘灰,会使砷转变为砷酸盐.但采用配比煤粉及厌氧条件下,在600℃以上焙烧除尘灰,可使砷以气态As4(g)挥发,在400℃以下析出单质砷.
关键词:
含砷铁矿石
,
烧结
,
氧分压
,
热力学
,
除尘灰
蔡斌利
,
李红霞
,
赵世贤
,
孙红刚
,
王刚
,
曹战民
耐火材料
doi:10.3969/j.issn.1001-1935.2016.06.003
为了确定水煤浆气化炉内O2分压,探究该气氛中Cr2O3的稳定性,首先根据不同厂家水煤浆气化炉合成气的化学组成,使用热力学软件Factsage6.4计算了1 300～1 600℃水煤浆气化炉内的O2分压,然后又计算了不同条件下Cr2O3蒸发形成的各种气体的分压及总蒸气压的变化.结果表明:随着温度的升高,O2分压在带状范围内逐渐增大,气化炉总压力的变化对O2分压变化的影响很小.在一定条件下,Cr2O3的蒸气压会随着温度及O2分压的变化而发生变化.O2分压不变时,Cr2O3的蒸气压随温度升高逐渐增大;温度不变时,Cr2O3的蒸气压随着O2分压的降低先减小后增大;1 300～1 600℃,Cr2O3蒸气压的最小值出现在O2分压为10-2～10-4 Pa;煤气化炉气氛中,随着O2分压降低,Cr2O3蒸气压逐渐升高;不同煤气化炉内,Cr2O3蒸气压的高低不同,其内衬高铬材料的服役寿命可能会有所不同.
关键词:
水煤浆气化炉
,
热力学计算
,
氧分压
,
Cr2O3稳定性
,
优势区图
李杨
,
肖鹏
,
李专
,
罗威
,
周伟
中国有色金属学报(英文版)
doi:10.1016/S1003-6326(17)60045-1
为提高炭/炭(C/C)复合材料的高温抗氧化性,采用包埋–刷涂法在其表面制备SiC/ZrSiO4?SiO2(SZS)复合涂层.研究SZS复合涂层包覆C/C复合材料在1500℃下不同氧分压测试环境下的抗氧化性能以及1500℃至沸水(100℃)的热循环性能.结果表明:SZS复合涂层试样具有优异的高温抗氧化性能和热震性能.在1500℃等温高氧分压环境下(空气流量36 L/h)氧化50 h后试样仅轻微失重(约0.03%),而在1500℃低氧分压(静态空气)中氧化111 h后仍然增重0.54%.此外,SZS复合涂层试样在高氧分压下氧化50 h及低氧分压下氧化80 h后,其残余压缩强度分别为70%和72.5%.SZS复合涂层试样在经历30次热循环以后,其质量损失率仅为1.61%,残余压缩强度约为74%.SZS涂层表现出良好的抗氧化性能和抗热震性能,可在高温下为C/C复合材料提供长期的保护.
关键词:
C/C复合材料
,
SiC/ZrSiO4?SiO2复合涂层
,
氧分压
,
抗氧化性能
,
热震性能
,
残余压缩强度
李明亚
,
叶成立
,
刘俊
人工晶体学报
在Bi-2223相的生成过程中,氧起到非常重要的作用.对Bi-2223/Ag带材而言,氧能够透过银包套在超导芯与外部环境气氛之间进行交换,因而,超导芯处的氧与气氛中氧含量相近.而对于Bi-2223/Ag/Ni带材而言,外层的包套材料为镍,氧不能扩散通过镍包套.为了使氧能够在超导芯与环境气氛之间进行交换,将带材一侧的镍去除,为氧的扩散提供一个通道.这使得氧在Bi-2223/Ag带材与Bi-2223/Ag/Ni带材中扩散条件和扩散过程是完全不同的,超导芯的氧含量的变化规律也是不一样的,必然会对Bi-2223相的生成过程产生影响.实验结果表明,在单芯Bi-2223/Ag/Ni带材中,高的氧分压不利于Bi-2223相的生成.
关键词:
Bi-2223/Ag/Ni带材
,
热处理
,
氧分压
