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活性炭块诱发SiC晶须生长的研究

陈旸 , 乜玉强 , 乔宁 , 李欣

材料导报 doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2016.14.018

以含氢硅油为前驱体,选用3种不同的活性炭块(1 cm×1 cm×1 cm)为基体,经交联、制粉、包埋,氢气保护下烧结制备SiC晶须(SiCw).对含氢硅油的交联工艺进行了研究,以正交试验法研究交联温度、保温时间、催化剂含量、交联剂含量对含氢硅油交联程度的影响.结果表明,交联温度是影响含氢硅油交联度的主要因素;其次依次是保温时间、催化剂含量、交联剂含量.在不同基体的诱导研究中,石墨基体表面生成的晶须较平直,另外两种基体未见均匀分布且长直的SiC晶须生成.SiC晶须的产生是由基体的表面缺陷引发,较低温度下晶须头部液滴的存在说明其生长机制符合VLS机制.

关键词: SiC晶须 , 含氢硅油 , 交联度 , 生长机制 , 正交试验法

正交试验法优化SiC增强铝基复合材料的制备工艺

张波 , 但文德 , 敖孟寒 , 王龙 , 吴广新

上海金属

采用搅拌铸造法,以SiC颗粒为增强相,制备铝基复合材料.以所得试样的密度和磨损率为目标函数,以搅拌温度(A)、搅拌速度(B)、搅拌时间(C)为变量进行正交优化设计.结果表明,搅拌因素对复合材料密度的影响顺序为:B>C>A;对磨损率的影响顺序为:B>A>C.制备SiC增强铝基复合材料的最佳工艺参数为:搅拌温度780℃,搅拌速度300 r/min,搅拌时间40 min.

关键词: 铝基复合材料 , 正交试验法 , 搅拌因素 , 密度 , 磨损率

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