张微
,
张方辉
,
黄晋
,
张思璐
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2013.13.028
主要通过红绿磷光材料R-4B和GIr1掺杂的方法,制备了黄光OLED器件,器件结构为ITO/MoO3(X)/NPB (40nm)/TCTA(10nm)/CBP:GIr1 14％:R-4B2％ (30nm)/BCP(10nm)/Alq3 (40nm)/LiF(1 nm)/ Al(100nm),TCTA和BCP分别为电子和空穴阻挡材料,同时结合TCTA和BCP对载流子的高效阻挡作用,研究了MoO3对器件效率和稳定性的影响.发现当增加MoO3的厚度为90nm时,在较大的电压范围内,器件都具有较高的效率和色坐标稳定性.在电流密度为7.13mA/cm2时,器件达到最高电流效率29.2cd/A,亮度为2081cd/m2;电流密度为151.7mA/cm2时,获得最高亮度为24430cd/m2,电流效率为16.0cd/A;器件色坐标稳定性较好,当电压为5、10、15V时,色坐标分别为(0.5020,0.4812)、(0.4862,0.4962)、(0.4786,0.5027).器件性能的改善主要归因于载流子注入与传输的平衡以及阻挡层对发光区域的有效限定.
关键词:
有机电致发光器件
,
磷光
,
色稳定性
,
氧化钼
李宏建
,
易丹青
,
谢自芳
,
周仁龙
,
许雪梅
,
彭景翠
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2003.03.004
通过分析有机电致发光器件中载流子注入、输运、激子的解离与复合过程,提出了激子解离与复合的理论模型. 基于电流连续性方程和Poisson方程,给出了激子复合几率、电流密度及复合效率表达式.研究了外加电压和温度对器件中激子的复合几率及在各种接触条件下外加电压对器件电流和复合效率的影响.结果表明:(1)在一个较宽的注入势垒范围内,复合几率随电场和温度的升高而降低;(2)固定阴极势垒,而阳极势垒由小变大时,器件电流由接触限制向空间电荷限制转变;(3)复合效率随外加电压升高先增加,当电压达一临界值时而陡降,并存在一个最佳的注入势垒值.其计算值与所报道的实验结果相符合.
关键词:
有机电致发光器件
,
复合发光
,
电场
,
温度
陈燕
,
陈星明
,
胡胜坤
,
金玉
,
吴志军
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20153006.0960
以半透明超薄金属银作为阴极,紫外臭氧处理的厚金属银作为阳极,制备了高效率高亮度的黄光硅基顶发射有机发光器件。当电压为9 V 时,器件的最大电流效率为4.9 cd/A,当电压为17 V 时,器件的亮度达到14040 cd/m2。通过增加掺杂浓度及阳极厚度对器件结构进一步优化后,器件性能显著提高,其电流效率在外加电压为10 V 时达到11 cd/A,相应亮度为21748 cd/m2.顶发射器件中存在的微腔效应能有效提高器件的发光效率以及亮度,但是也会使器件的共振波长随着观察视角的增大而蓝移。由于采用合适的发光材料,本实验制备的器件的发光峰值在0°~75°视角范围内几乎没有变化。
关键词:
顶发射
,
有机电致发光器件
,
表面修饰
,
亮度
,
电流效率
于瑶瑶
,
陈星明
,
金玉
,
吴志军
,
陈燕
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20163108.0773
为了能够有效地提高电子的注入和传输能力,改善有机电致发光器件的性能,本文利用 CsN3作为 n 型掺杂剂,对有机电子传输材料 Bphen 进行 n 型电学掺杂,制备了结构为 ITO/MoO 3(2 nm)/NPB(50 nm)/Alq3(30 nm)/Bphen(15 nm)/Bphen∶CsN3(15 nm,x ％,x ＝10,15,20)/Al(100 nm)的器件.实验结果表明,CsN3是一种有效的 n 型掺杂剂,以掺杂层 Bphen∶CsN3作为电子传输层,可以有效地降低电子的注入势垒,改善器件的电子注入和传输能力,从而降低器件的开启电压,同时提高了器件的亮度和发光效率.在掺杂浓度为10％时器件的性能最优,开启电压仅为2．3 V,在7．2 V 的驱动电压下,达到最大亮度29060 cd/m2,是非掺杂器件的2．5倍以上.当驱动电压为6．6 V 时,达到最大电流效率3．27 cd/A.而当掺杂浓度进一步提高时,由于 Cs 扩散严重,发光区形成淬灭中心,造成器件的效率下降.
关键词:
CsN3
,
n 型掺杂
,
有机电致发光器件
,
电流效率
