李春光
,
王飞
,
安涛
,
王东新
中国材料进展
doi:10.7502/j.issn.1674-3962.2013.12.07
近年来，国内外一些研究者对添加剂元素与铝元素共掺杂的 ZnO 薄膜开展了许多研究并发现在 AZO薄膜掺入添加剂元素不仅会增强AZO薄膜的光电特性，而且还能优化其晶体结构和表面形貌，某些添加剂元素还可以提高AZO薄膜的多项性能和稳定性，这对研究 AZO 薄膜性能的提高提供了一个更具潜力的研究方向。介绍了 AZO 薄膜的基本结构、基本特性以及光电性能原理。对添加剂元素对 AZO薄膜结构的研究和光电性能的研究进行了归纳和总结，并且与 AZO 薄膜进行了对比。综述了添加剂元素掺入的AZO薄膜目前所采用的磁控溅射法、溶胶-凝胶法和脉冲激光法三种主要制备技术以及其优缺点，同时阐述了不同方法掺入添加剂元素的 AZO 薄膜的研究进展。最后介绍了添加剂元素掺入的AZO薄膜在光电领域的应用，展望了其未来发展与研究趋势。
关键词:
AZO薄膜
,
添加剂元素
,
光电性能
,
薄膜性能
邓继勇
,
刘煜
,
谭华
,
黄先威
,
黄赛金
,
朱卫国
材料研究学报
以聚芴为主链,通过Suzuki偶联反应合成了一类新型侧链含环金属铱配合物的芴-咔唑有机磷光聚合物PFCzIrpiq,通过凝胶渗透色谱仪测定其分子量,通过核磁共振氢谱表征化学结构,研究了聚合物的光电性能.以该聚合物为发光层制备结构为ITO/PEDOT:PSS (50 nm)/PFCzIrpiq (45 nm)/LiF(0.5 nm)/Al (150 nm)的器件,测试了器件的电致发光性能.结果表明,在聚合物单体中铱配合物单元摩尔投料比对聚合物的发光颜色影响较大:当铱配合物单元摩尔投料比为1％时聚合物器件的色坐标为(0.22,0.22),位于蓝光区域;当增大到5％时聚合物器件色坐标为(0.65,0.35),位于红光区域;随着铱配合物单元摩尔投料比的增大,器件的启亮电压变化较小,而器件的电流密度逐渐减小,器件的最大发光亮度逐渐增大.当铱配合物单元摩尔投料比为5％时,器件的最大发光亮度为48 cd/m2.
关键词:
有机高分子材料
,
有机磷光聚合物
,
合成
,
聚合物电致发光器件
,
光电性能
余志强
,
张昌华
,
李时东
,
廖红华
无机材料学报
doi:10.15541/jim20140439
采用基于密度泛函理论的第一性原理计算，研究了 C/Ge 掺杂对单壁扶手型硅纳米管电子结构和光电性质的影响。结果表明，本征态和C/Ge掺杂的硅纳米管均属于直接带隙半导体，其价带顶主要由Si-3p态电子构成，而导带底则主要由Si-3p态电子决定。通过C掺杂，可使硅纳米管的禁带宽度减小，静态介电常数增大，吸收光谱产生红移；而通过Ge掺杂，可使硅纳米管的禁带宽度增大，静态介电常数减小，吸收光谱产生蓝移。研究结果为硅纳米管在光电器件方面的应用提供了理论基础。
关键词:
第一性原理
,
硅纳米管
,
电子结构
,
光电性质
张楷力
,
堵永国
,
王震
贵金属
介绍了银纳米线透明电极光电性能的相关理论。根据国外研究团队建立的相应模型，结合目前透明电极主流应用对银纳米线的性能要求，阐释了银纳米线的尺寸与透明电极的光电性能之间的联系，给出了评判电极光电综合性能的重要参数和满足透明电极应用的银纳米线尺寸具体要求，为银纳米线的合成提供了理论参考。
关键词:
金属纳米材料
,
银纳米线
,
透明电极
,
尺寸
,
光电性能
,
理论
陈真英
,
聂鹏
,
廖庆佳
,
黄文华
,
孟炎
,
熊定康
,
邓文
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2016.01.016
采用射频磁控溅射法,以不同保温时间的掺钛氧化锌为靶材在普通玻璃衬底上制备了TZO(掺钛氧化锌)薄膜样品,测试其微结构和光电性能,从而获得制备性能优越的TZO薄膜所需靶材的最佳条件.测试结果表明,所有样品均为具有c轴择优取向的六角铅锌矿多晶纳米薄膜;靶材烧结温度和保温时间对薄膜微结构和光电性能有较大影响;以经1 500℃烧结并保温6h的靶材所制备的薄膜光电性能较好,具有较大晶粒尺寸,在可见光区(400～760 nm)有较高的平均透过率91.16％,较低电阻率1.07×10-4Ω·cm,较高的载流子浓度和较大迁移率.
关键词:
掺钛氧化锌薄膜
,
磁控溅射
,
保温时间
,
微结构
,
光电性能
孙宜华
,
王海林
,
陈剑
,
方亮
,
王磊
中国有色金属学报(英文版)
doi:10.1016/S1003-6326(16)64275-9
采用高致密度靶材在室温条件下玻璃衬底上 RF 磁控溅射制备铝掺杂氧化锌(AZO)薄膜。用 X 射线衍射仪、冷场发射扫描电子显微镜、紫外可见光分光光度计、四探针测试仪和霍尔测试仪分析表征薄膜的显微组织、表面形貌和光电学性能。结果表明，所制备的薄膜均为多晶六方纤锌矿结构，溅射功率对 AZO 薄膜的光电学性能，尤其是电学性能有重要影响。不同溅射功率下薄膜可见光平均透过率均大于85%，当溅射功率为200 W 时，获得最小电阻率4.5×10?4Ω·cm 和87.1%的透过率。AZO 薄膜禁带宽度随溅射功率不同在3.48~3.68 eV 范围内变化。
关键词:
AZO薄膜
,
显微组织
,
光电学性能
,
RF磁控溅射
