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溅射时间对硼掺杂ZnO薄膜性能的影响

化麒麟 , 付蕊 , 杨雯 , 杨培志

材料导报

采用脉冲磁控溅射系统在玻璃衬底上制备了硼掺杂氧化锌(ZnO∶B)薄膜,利用X射线衍射仪、场发射扫描电子显微镜、紫外-可见光-近红外分光光度计和四探针测试仪研究了溅射时间与薄膜的结构、光学和电学特性的关系.结果表明:ZnO∶B是多晶薄膜,具有六方钎锌矿结构且呈c轴择优取向,其透明导电性能优良,在可见光谱范围的平均透先率超过80%,薄膜电阻率随溅射时间延长而降低至3.0×10-3 Ω·cm.

关键词: ZnO∶B薄膜 , 溅射时间 , 光电特性 , 透光率

缓冲层对溶胶凝胶制备ZnO∶ Sn薄膜性能的影响

范建彬 , 胡跃辉 , 陈义川 , 胡克艳

人工晶体学报

采用溶胶凝胶旋涂法,在石英衬底上引入缓冲层制备ZnO∶Sn薄膜.利用四探针电阻率测试仪、X射线衍射仪(XRD)、光致发光(PL)谱仪、场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)等测试手段对薄膜的微观结构和光电性能进行表征.结果表明:所制样品均呈现六角纤锌矿晶体结构并沿C轴择优生长,薄膜的结晶质量和光电性能达到改善,适当厚度的缓冲层可以有效缓解薄膜和衬底间的晶格失配.随着缓冲层厚度的增加,薄膜的电导率以及在可见光范围的透过率先增大后减小.制备两层缓冲层薄膜性能最优,电阻率达到9.5×10-3 Ω·cm,可见光波段的平均透过率为91%.

关键词: 溶胶凝胶 , Sn掺杂ZnO薄膜 , 缓冲层 , 光电性能

As掺杂浓度对FeS2电子结构及光学性质的影响

马万坤 , 陈建华 , 张国范 , 李玉琼 , 冯其明

中国有色金属学报

采用基于密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势法,对不同As掺杂浓度FeS 2的几何结构、电子结构和光学性质进行计算和讨论.采用2×2×2(Fe32S63As),2×2×1(Fe16S31As)和2×1×1(Fe8S15As)的超晶胞模型,用1个As原子取代1个S原子,使掺杂浓度分别为1.93%、3.82%和7.48%(质量分数),然后进行3种掺杂体系的计算,并将其与理想体系进行对比.几何结构与电子结构的计算结果表明:As掺杂使得FeS 2的晶格常数和晶胞体积增大,导带部分下移,禁带宽度减小,并且在-10.4~-9.5 eV的浅部价带产生了由As的p态贡献的杂质能级.光学性质计算结果表明,掺杂后Fe(S 1-x As x)2的静态介电常数、折射率和光电导率在一定范围内均随着掺杂量的增大而明显增大,说明As掺杂显著增强了FeS 2对光的吸收以及光电转换效率.

关键词: As掺杂 , 黄铁矿 , 光电性质 , 第一性原理

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