孟超
,
王文文
,
顾宝霞
,
曹晔
,
刁训刚
,
康明生
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2009.06.018
利用直流磁控溅射法, 在室温玻璃衬底上制备了具有良好附着性的多晶ZnO∶ Al(ZAO)薄膜. 比较了室温下获得的薄膜与衬底加热条件下所得薄膜的结晶程度, 研究了厚度对室温条件下制备的ZAO薄膜表面形貌、电学性能及紫外-可见-近红外光区透光性的影响. 结果表明, 室温条件下制备的ZAO薄膜也具有(002)面择优取向, 随着膜厚的增加薄膜晶粒化程度提高, 载流子浓度和迁移率增大, 电阻率下降, 薄膜在紫外光区的吸收边发生红移, 在可见光区的平均透过率降低, 在近红外光区的透过率随厚度的增加而减小. 厚度为1200 nm的ZAO薄膜具有最佳光电综合性能, 其电阻率为7.315×10~(-4) Ω·cm, 方块电阻为6.1 Ω/□, 可见光区平均透过率达到82%, 波长为550 nm处的透过率为87%.
关键词:
直流磁控溅射
,
ZnO
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Al薄膜
,
透明导电薄膜
,
光电特性
任明放
,
王华
,
许积文
,
杨玲
人工晶体学报
采用室温溅射加后续退火工艺制备了ZnO∶ Al透明导电薄膜.研究了热处理工艺对薄膜微观结构和光电性能的影响.研究表明:退火有助于减小Al~(3+)对Zn~(2+)的取代造成的晶格畸变,消除应力,促进晶粒长大,有效提高电子浓度和迁移率,降低电阻率;当溅射功率为80 W、退火温度为320 ℃时,薄膜的电阻率可低至8.6×10~(-4) Ω·cm;退火气氛对薄膜的导电性能有较大影响,真空退火可使吸附氧脱附,大大降低薄膜的方块电阻.而退火温度和退火气氛均对ZnO∶ Al薄膜的透光率没有明显影响,薄膜的透光率在86%以上.
关键词:
ZnO∶Al
,
光电性能
,
磁控溅射
,
退火工艺
杨磊
,
刘涌
,
王慷慨
,
丛炳俊
,
程波
,
陆妍
,
林俊君
,
宋晨路
材料科学与工程学报
doi:10.14136/j.cnki.issn.1673-2812.2015.04.012
透明导电氧化物(TCO)薄膜要求低电阻率和可见光区高透过率.目前最常用的是ITO薄膜存在着有毒、In成本高等难以克服的缺点.NTO薄膜是近年来新发现的一种具备广阔前景的TCO薄膜,但对它的认识还不充分.本文采用APCVD法在玻璃基板上成功制备出了颗粒均匀细小致密的NTO薄膜,探索出最佳反应温度为500℃～550℃,通过高真空退火的方式改善了薄膜晶体质量,光学透过率获得大幅提升,与经过掺杂但未经过H2退火的Nb∶TiO2薄膜和经过H2退火但未掺杂的TiO2薄膜相比较,经过掺杂和H2退火的Nb∶ TiO2薄膜其电学性能得到明显改善.
关键词:
透明导电氧化物薄膜
,
常压化学气相沉积
,
晶体质量
,
光电性能
刘振
,
徐文亚
,
钱龙
,
赵建文
,
崔铮
影像科学与光化学
doi:10.7517/j.issn.1674-0475.2014.03.260
本文研究了聚[(2,7-9,9-二辛基芴基)-4,7-双(噻吩-2-基)苯并-2,1,3-噻二唑](PFO-DBT)分离的半导体碳纳米管薄膜晶体管的光电性能.在超声和高速离心辅助下,PFO-DBT能够从商业化单壁碳纳米管中选择性分离出高纯的半导体碳纳米管.用得到的半导体碳纳米管溶液通过气溶胶喷墨印刷方法构建出高性能印刷薄膜晶体管器件.印刷碳纳米管薄膜晶体管表现出高的开关比(107)和高迁移率(15.6 cm2 ·V-1·s-1).并且所有制备的印刷薄膜晶体管具有很好的光敏感特性和很好的稳定性.
关键词:
半导体性碳纳米管
,
聚合物
,
印刷电子
,
薄膜晶体管
,
光响应特性
王洪森
,
赵玉辉
表面技术
目的 研究ZnO∶Si薄膜厚度对其生长速率、结晶度、光透率和电阻率的影响.方法 用直流磁控溅射系统在玻璃基片上沉积不同的时间,获得5个厚度不同的ZnO∶Si薄膜样品,对比研究了其薄膜生长取向和结构特性、微观形貌、电学参数及透过率曲线.结果 5个ZnO∶Si薄膜样品都为多晶膜,具有单一的(002)衍射峰,沿垂直于基片的c轴方向择优生长.当薄膜厚度从207.6 nm增加到436.1 nm时,薄膜的晶粒尺寸增大,晶化程度提高,电阻率变小;膜厚增至497.8 nm时,薄膜的晶化程度反而降低,电阻率增加.在可见光范围内,5个薄膜样品的平均透过率都高于91.7％.结论 膜厚对ZnO∶Si薄膜的电学性能有较大影响,对光学性能的影响则较小.
关键词:
透明导电薄膜
,
ZnO∶Si
,
光电特性
,
薄膜厚度
