X.G.Zhou
,
X.M.Zhao
,
Y.B.Xu
,
D.Wu
金属学报(英文版)
On the basis of phase transformation kinetics, the transformation of γ→α,P,B have been investigated through considering the effect of deformation. The calculation methods of volume fraction have also been given. Comparing with common method, the simulated results are in more agreement with experiment results.
关键词:
transformation kinetics
,
null
,
null
宋粉红
,
刘朝
,
刘娟芳
,
解辉
,
张智
工程热物理学报
本文采用分子动力学方法对水蒸气在纳米硅固体颗粒上的异质核化过程进行了研究.氩原子作为载气,与水蒸气进行热量交换,带走水蒸气核化释放的热量;模拟系综初始温度为450 K,载气温度恒定为200 K.结果表明,核化初期小团簇由几个水分子组成,然后小团簇聚并形成大团簇,核化在纳米固体颗粒上的团簇为最大团簇.通过对比发现,异质核化系综内纳米固体颗粒能够促使核化发生,异质核化温度为360 K,高于353 K的均质核化温度.根据团簇分析,在同等条件下水蒸气异质核化率与均质核化率数量级相同,比理论预测值低一个数量级.
关键词:
异质核化
,
团簇
,
核化率
,
分子动力学
安治国
,
毛卫民
材料热处理学报
采用场发射扫描电子显微镜观察了取向电工钢中MnS粒子在热变形及不同温度保温后的析出形核行为.以经典的形核率理论为基础,确定了MnS粒子形核析出的更准确潜在位置密度,进而建立了改进的MnS析出形核模型.研究结果表明,MnS粒子主要在晶界和位错上形核,MnS在900℃析出时粒子密度最大.随热变形后保温温度的升高,位错密度及相应的MnS位错形核密度降低.理论计算与实验观察的结果符合良好.
关键词:
取向电工钢
,
MnS析出
,
形核率
,
形核位置
冯中学
,
潘复生
,
史庆南
,
张喜燕
,
陈亮维
,
陈希亮
稀有金属材料与工程
采用彩色金相与能谱对半连续浇铸的AZ61镁合金进行了组织和成分上的观察,发现冷却速率较快的铸锭边部的二次枝晶间距比冷却速率较慢的铸锭心部的二次枝晶间距大,与普通模铸的显微组织呈现的规律不同,并对这一现象进行了理论上的分析讨论.分析认为边部二次枝晶间距的异常增大与二次枝晶臂表面溶质的微观偏析密切相关,粗枝晶臂表面溶质浓度与细枝晶臂表面溶质浓度差值越大,粗枝晶臂的粗化驱动能越大,枝晶的二次枝晶间距就越大.
关键词:
二次枝晶间距
,
微观偏析
,
形核率
,
镁合金
李杰
,
程诚
,
路焱
,
孙永志
功能材料
富硼渣经熔态钠化—热处理析晶—水浸工艺可制得硼砂晶体。硼的浸出率与渣中硼组分析出形态直接相关,若以NaBO2为主晶相析出,硼浸出率高;若以玻璃态存在,硼浸出率低。根据非晶固体形成动力学理论,计算富硼渣钠化过程中NaBO2成核速度（I）和晶体长大速度（IL）,获得了NaBO2晶体在熔体中的最佳形成温度。采用化学分析方法研究了热处理温度对渣中硼浸出率的影响。结果表明,钠化渣的最佳热处理温度与理论计算所得最佳温度一致。
关键词:
富硼渣
,
钠化
,
成核速度
,
晶体长大速度
,
硼浸出率
张芮辉
,
张弛
,
夏志新
,
杨志刚
金属学报
doi:10.3724/SP.J.1037.2013.00178
基于T91钢传统的“正火+回火”热处理制度,在Thermal-Calc软件热力学计算的辅助下,通过在正火与回火热处理间引入850℃等温处理,设计了2种新的热处理制度.研究了3种不同热处理制度下T91钢中析出相的尺寸及分布规律.与传统“正火+回火”处理制度相比,新设计的热处理制度使得钢中M23C6碳化物的尺寸由350 nm降至250 nm左右,并使MX碳氮化物的数密度有所增加.通过Thermal-Calc模拟计算,M23C6碳化物析出相变的驱动力随着C含量的降低而增加.利用经典晶界形核理论并结合Thermal-Calc计算结果,定量描述了M23C6碳化物形核率与C含量的关系,较好地解释了M23C6碳化物的细化原因.
关键词:
T91钢
,
析出相
,
M23C6
,
形核率
廖建华
,
尚林
,
贾伟
,
余春燕
,
李天保
,
许并社
人工晶体学报
采用金属有机化学气相沉积方法系统研究了在蓝宝石衬底上低温GaN形核层的形核速率对GaN外延薄膜晶体质量的影响机理.利用高分辨X射线衍射仪、原子力显微镜、光致发光光谱和Hall测试仪表征材料的位错密度、表面形貌以及光、电学性能.研究结果表明随着形核速率的增加,GaN形核层更倾向于三维生长模式;当形核速率达到1.92(A)/s时退火后生成尺寸为100 nm宽、32 nm高的均匀形核岛,随后生长的未掺杂GaN外延薄膜层的螺型和刃型位错密度以及黄带峰强度达到最小值,并且其具有最高的载流子迁移率和最低的载流子浓度.
关键词:
形核速率
,
形核层
,
GaN
,
金属有机化学气相沉积
