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籽晶辅助化学水浴沉积法制备ZnO纳米棒阵列

潘景伟 , 马向阳 , 张辉 , 杨德仁

人工晶体学报

采用籽晶辅助化学水浴沉积法,即先用磁控溅射法在硅片上制备c轴取向的ZnO薄膜,以此作为籽晶层,利用化学水浴沉积法制备ZnO纳米棒阵列.利用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射(XRD),研究了ZnO薄膜籽晶层的沉积温度、水浴温度和前驱体溶液中Zn源的初始浓度等对ZnO纳米棒阵列生长的影响,由此得到了结晶性好且几乎垂直于衬底方向的ZnO纳米棒阵列的生长条件,为制备基于ZnO纳米棒阵列的器件提供了条件.

关键词: ZnO , 纳米阵列 , 籽晶辅助化学水浴沉积法 , 扫描电子显微镜 , X射线衍射

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