材料期刊网

硼掺杂对PECVD制备的纳米非晶硅薄膜电学行为的影响

冯仁华 , 张溪文 , 韩高荣

材料科学与工程学报

本文采用PECVD法制备硼掺杂纳米非晶硅薄膜(na-Si:H),系统研究了掺杂气体比(B2H6/SiH4)、衬底温度Ts、RF电源功率对薄膜电学性能的影响.研究表明,与传统掺硼非品硅不同,随硼掺杂浓度的增加,掺硼na-Si:H薄膜的电导率先减小后增大并最终趋于饱和,其电导激活能E≈0.50eV、σph/σd＞102,具有应用于太阳能电池p型层的潜力.

关键词: PECVD , na-Si:H , 掺杂比 , 激活能