王延平
,
王兵
,
熊鹰
,
周亮
材料研究学报
以Ar、CH4和CO2为反应气源,以三聚氰胺的甲醇饱和溶液为掺杂源,用微波等离子体化学气相沉积法在单晶硅基体上制备了掺氮的金刚石薄膜;用原子力显微镜,拉曼光谱以及霍尔效应测试仪等手段表征了膜的组成结构和半导体特性.结果表明:掺氮的金刚石薄膜晶粒平均尺寸约为20 nm,表面粗糙度约为8.935 nm,其拉曼光谱为典型的纳米金刚石膜特征峰形;掺氮膜材的电导率高达0.76×102Ω-1cm-1,载流子浓度达到2.18×1019/cm3,是一种导电性能优良的n型半导体纳米金刚石膜.
关键词:
无机非金属材料
,
微波等离子体
,
化学气相沉积
,
n型掺杂
,
纳米金刚石薄膜
刘颖
,
戴丹
,
江南
无机材料学报
doi:10.15541/jim20160422
以化学气相沉积(CVD)制备的单层石墨烯为原料,小分子三嗪为掺杂剂,采用吸附掺杂的方式,在低温下对石墨烯实现n型掺杂.利用拉曼光谱(Raman)、X射线光电子能谱分析(XPS)、原子力显微镜(AFM)、紫外分光光度计(UV)和霍尔效应测试仪(Hall)对样品的形貌、结构及电学性能进行表征.结果表明:该方法简单安全,能够对石墨烯实现均匀的n型掺杂,掺杂石墨烯的透光率达到95％.掺杂后石墨烯的特征峰G峰和2D峰向高波数移动.掺杂180 min后,载流子浓度达到4×1012/cm2,接近掺杂前的载流子浓度,掺杂后的石墨烯在450℃的退火温度下具有可逆能力,其表面电阻在300℃以下具有较好的稳定性.
关键词:
CVD石墨烯
,
三嗪
,
n型掺杂
,
载流子浓度
,
表面电阻
