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原词结果 | 译词结果

NEAR RAPID DIRECTIONAL SOLIDIFICATION AND ITS SUPERFINE MICROSTRUCTURE

H.Z. Fu , X.G. Gen , J.G. Li and J.Zhang(State Key Lab.of Solidification Processing , Northwestern Polytechnical University , Xi'an 710072 , China Manuscript received 26 August 1996)

金属学报(英文版)

This paper briefly reviews the recent research on the near rapid directional solidification and microstructure superfining. The morphology transitions and the corresponding mechanical properties are presented. The critical velocities relevant to the morphology transitions are comprehensively given. Meanwhile the solidification characteristics near absolute stability limit are studied.It can be clearly seen that the superfine microstructures possess extremely better properties compared with the conventional microstructures.

关键词: :near rapid directional solidification , null , null , null

GaAs（001）薄膜表面形貌相变过程

罗子江 , 周勋 , 王继红 , 郭祥 , 王一 , 魏文喆 , 丁召

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2014.09.019

采用 STM 以及 RHEED 技术对于 GaAs (001)的表面形貌相变过程(有序平坦→无序平坦→粗糙)进行了深入研究。通过 GaAs (001)在不同 As BEP、不同温度的表面形貌相变过程的研究发现,As BEP和温度的变化是促使表面形貌相变发生的主要原因,高温引起原子重组致使表面重构的演变是 GaAs (001)薄膜发生表面形貌相变的主要内在机制。单一表面重构或某一重构占绝对优势的表面形貌处于有序平坦状态；多种重构的非等量混合表面是无序平坦状态的主要表面形式；当表面重构难以辨别时,表面形貌也将进入岛上高岛、坑中深坑的粗糙状态。研究还观察到,当As BEP和温度足够高时,GaAs(001)表面形貌相变将不会出现无序平坦状态,表面将直接从平坦转变为粗糙状态。

关键词: STM , GaAs 薄膜 , 形貌相变 , 表面重构 , As BEP

碘化汞(α-HgI_2)晶体气相生长中的形貌转变研究

许岗 , 李高宏 , 介万奇

材料导报

采用高纯HgI_2多晶原料,利用改进的静态升华法生长了α-HgI_2晶体.生长15天的晶体生长界面呈小平面,而生长29天的晶体生长界面呈椭圆形,表明α-HgI_2晶体气相生长中存在生长形貌转变的现象.形貌转变的原因可能是自由碘在生长界面富集和不同晶面生长速率差异所致.生长29天的晶体体积约为1.3cm~3,可能达到了该条件下的最大体积.

关键词: 碘化汞 , 气相生长 , 形貌转变

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