张颖
,
张军战
,
刘民生
硅酸盐通报
对Si3N4-C和SiO2-C-N2系统中的主要化学反应以及SiC晶须在两种系统中合成的热力学条件进行了分析,进而采用碳黑为碳源、Si3N4与SiO2微粉为硅源、氧化硼为催化剂,分别在氩气与氮气气氛下,于1600℃合成SiC晶须.采用扫描电子显微镜,透射电子显微镜等分析手段分析了晶须的生成量和形貌结构特征.结果表明:通过SiO2-C-N2系统可以一步合成SiC晶须,其与Si3N4-C系统合成的均为β-SiC;但在晶须的生成量和质量上,Si3N4-C系统合成的SiC晶须较好.
关键词:
SiC晶须
,
热力学
,
合成系统
,
形貌结构特征
宋斌斌
,
于涛
,
张传升
,
李博研
,
李新连
,
郭凯
,
左宁
,
赵树利
,
陈颉
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2016.16.008
采用直流磁控溅射法在溅射气压为0.1～1.0Pa下制备了金属Mo膜.用扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)对单层Mo膜的表面、断面形貌和粗糙度进行了分析与表征;用X射线衍射(XRD)研究了气压对Mo膜晶粒尺寸和薄膜应力应变的影响;用SEM观察了双层和三层Mo背电极层的表面形貌.结果表明,溅射气压升高,表面颗粒由细长变得圆润,均方根粗糙度升高,其值介于1.32～4.81 nm之间;Mo膜的晶粒尺寸随气压的升高而降低,其值介于27.2～11.7 nm之间;溅射气压为0.2 Pa和0.3 Pa时制备的Mo膜显现为张应力;将双层Mo背电极表面制备0.7 Pa的Mo层后,表面更加圆润,孔隙增多.
关键词:
磁控溅射
,
CIGS
,
Mo背电极
,
溅射气压
,
形貌结构
