孙洪君
,
王敏焕
,
边继明
,
苗丽华
,
章俞之
,
骆英民
无机材料学报
doi:10.15541/jim20160456
采用分子束外延(MBE)技术在单晶蓝宝石衬底上生长了高质量化学计量比二氧化钒(VO2)薄膜,通过该技术实现薄膜厚度15～60 nm精确控制.对于优化条件下VO2薄膜,实现了电阻率变化超过4个数量级的优异金属-绝缘体相变,近似于之前报道高质量单晶VO2相变特性.特别是通过太赫兹时域光谱分析了不同厚度的VO2薄膜在太赫兹波段的光学特性.结果表明:VO2薄膜的厚度对其在太赫兹波段的光学特性有很大影响.因此,为了获得更优的可靠性和重复性能,VO2薄膜的厚度必须得到精确控制.本研究结果对于下一步VO2基太赫兹器件研究具有重要意义.
关键词:
二氧化钒薄膜
,
太赫兹时域光谱
,
分子束外延
,
金属-绝缘体相变
李宝吉
,
吴渊渊
,
陆书龙
,
张继军
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2016.16.007
研究了不同衬底上MBE技术生长的InGaN的光学和结构特征.结果表明,在相同生长条件下,用图形化衬底生长的InGaN材料比用普通衬底生长的材料有较低的表面粗糙度和背景载流子浓度及较强的发光强度.通过透射电子显微镜(TEM)观察,发现普通衬底生长的InGaN内部原子错排现象严重,而采用图形化衬底生长的InGaN原子排列清晰规则.这主要是因为图形化衬底材料外延初期为横向生长模式,这种生长模式可有效地抑制穿透位错在GaN材料体系中的纵向延伸,降低GaN缓冲层中的位错密度,进而抑制外延InGaN材料中穿透位错和V型缺陷的产生.
关键词:
InGaN
,
图形化衬底
,
分子束外延
,
晶体质量
