冯精兰
,
胡鹏抟
,
刘群
,
刘梦琳
,
孙剑辉
,
张杏杨
环境化学
doi:10.7524/j.issn.0254-6108.2015.01.2014032102
在黄河中下游干流采集6个表层沉积物样品，采用Han和Banin连续提取法提取并采用ICP?MS和ICP?OES测定不同化学形态的Pb、Cu、Cd、Cr、Ni、Zn、Mn含量，在计算重金属富集因子、迁移系数、次生相和原生相分布比值的基础上，对重金属赋存形态、迁移能力、生物活性、污染状况和潜在生态风险进行了研究．结果表明，黄河中下游干流表层沉积物中重金属元素含量沿河流向先增加后降低，高含量点位出现在汜水汇入黄河后，支流的输入对黄河重金属含量具有较为明显的贡献．形态分析研究表明，Pb、Cu、Cr、Zn、Ni等5种重金属残渣态在其不同形态中有绝对优势，Cd可浸取态占明显优势，Mn的残渣态与可浸取态所占比例相当．富集因子分析表明，黄河中下游表层沉积物中重金属可分为3类：Cu、Cr、Mn基本无富集，Pb、Ni、Zn轻度富集，Cd中度到极高度富集；迁移系数研究表明黄河中下游表层沉积物重金属迁移系数和生物活性顺序为Mn＞Cd＞Zn＞Ni＞Pb＞Cu＞Cr．次生相原生相比值法表明Cu、Cr、Ni、Zn无污染，Pb在3点位轻度污染，其它点位无污染，Mn在1、3、6点位轻度污染，其它点位无污染．综合各种评价方法， Cd是黄河中下游沉积物中污染程度最高的重金属，具有潜在生态风险，应引起重视．
关键词:
重金属
,
赋存形态
,
迁移能力
,
生物活性
,
生态风险
,
黄河中下游
,
沉积物
宋贵宏
,
柳晓彤
,
孟雪
,
王亚明
,
陈立佳
,
贺春林
人工晶体学报
利用高真空磁控溅射设备并顺序沉积Cr、Ti和Si层并随后在500℃真空退火6h,在Si(100)衬底上,获得不同Ti掺杂量的CrSi2薄膜.场发射扫描电镜观察表面形貌显示,沉积薄膜具有7～8 nm的晶粒且尺寸比较均匀,Ti含量增加,晶粒尺寸略有增加;X射线衍射谱显示沉积薄膜具有单一CrSi2点阵(111)晶面择优取向,在1.16at％到1.74at％的Ti含量范围内,随Ti含量的增加,CrSi2纳米薄膜的(111)择优取向的程度下降,同时,Ti含量增加,薄膜CrSi2点阵常数增加,这表明Ti在CrSi2晶体中以替位形式存在.随着Ti含量增加,沉积薄膜的霍尔系数降低,空穴浓度增加,同时薄膜空穴载流子的迁移率和Seebeck系数单调下降;受空穴浓度增加和迁移率降低的影响,随Ti含量增加,沉积薄膜电导率和功率因子呈现先增加达到最大值后又下降的趋势.
关键词:
CrSi2薄膜
,
电导率
,
迁移率
,
Seebeck系数
吴建兵
,
李萍
,
马国章
,
凌丽霞
,
王保俊
高分子材料科学与工程
以2-羟基-2-甲基-1-苯基丙酮、异佛尔酮二异氰酸酯和丙烯酸羟乙酯合成了一种可聚合紫外光引发剂。用红外光谱、核磁共振谱和紫外-可见吸收光谱对合成产物进行了分析和表征。通过综合热分析仪（Photo-DSC）研究了合成产物和2-羟基-2-甲基-1-苯基丙酮在光固化体系中的引发效率及其固化后的相对迁移率。结果表明,合成的产物为目标可聚合紫外光引发剂,将其添加在紫外光固化体系中,随着添加量从3%增加到15%,引发效率逐渐增强。按照相同自由基浓度条件计算,12%合成产物的引发效率接近于5%1173,但是其固化过程中的迁移率却不到1173的10%。
关键词:
可聚合光引发剂
,
综合热分析仪
,
迁移率
,
转化率
曹明杰
,
赵明
,
庄大明
,
郭力
,
欧阳良琦
,
孙汝军
,
詹世璐
材料研究学报
doi:10.11901/1005.3093.2015.697
通过磁控溅射方法制备一种新型薄膜晶体管有源层材料Nb掺杂的氧化铟锌(IZO)非晶薄膜(a-INZO).运用XRD、光致发光、Hall测试等检测方法分析INZO薄膜微观结构、缺陷状态以及电学性能.光致发光结果表明,INZO相较于Ga掺杂的IZO (IGZO)具有更低的深能级缺陷密度.Hall效应测试结果表明,通过调节溅射过程中氧气流量可有效控制INZO薄膜载流子浓度,使之适合于制备薄膜晶体管(TFT)器件.INZO薄膜迁移率随载流子浓度的变化规律符合渗流传导模型,载流子浓度较低时,迁移率随载流子浓度增加而增加;载流子浓度较高时,迁移率下降,光学数据的分析表明其带尾态宽度较大,结构更无序.提高溅射基底温度可有效提高迁移率,但对薄膜无序度的改善并不明显.
关键词:
无机非金属材料
,
Nb掺杂IZO
,
INZO
,
光致发光
,
迁移率
,
磁控溅射
肖峰
,
袁士涛
,
黄志祥
,
吴先良
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2015.03.018
引入了一种可以直观展现出聚合物体异质结太阳能电池伏安特性的数值模型,该模型主要研究由双分子复合以及温度和电场效应下自由载流子产生的机制.该机理在聚合物材料中得到很好的体现,材料中空间电荷效应只起到微弱的作用,从而在模型中形成相对恒定的电场.此外,在短路条件下只有7％的自由载流子由于双分子复合而消失.理论模型及结果表明在PPV/PCBM太阳能电池中随着空穴迁移率的增加和减少受体0.5电子伏特将得到5.5％的最高转换效率.
关键词:
光电子学
,
有机太阳能电池
,
体异质结
,
数值模拟
,
载流子
,
迁移率
彭锐
,
陈梦婕
,
熊贤风
,
王迎
,
邱龙臻
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20142902.0172
以邻氯苯甲醛、NaHS· xH2O、癸酰氯为原料,经消去、酰化,还原反应合成2,7-二癸基二苯并二噻吩(C10-BT-BT).通过核磁共振表征和确证.本文研究了C10-BTBT光学性能、热学性能、电学性能以及环境稳定性.紫外-荧光光谱研究证明,化合物在近紫外光激发下发出明亮的蓝光,发射中心波长在352 nm.液晶相的相转变温度通过差热扫描仪测定,测量结果为熔点Tcp=112℃,清亮点Tmp=125℃.通过喷墨打印技术制备了底栅顶接触结构的2,7-二癸基二苯并二噻吩的OTFT器件,场效应平均迁移率达到0.1 cm2/V·s,最大迁移率达到0.25 cm2/V·s,开关比超过104.放置空气中不同时间,器件开态电流和开关比没有较大变化.
关键词:
有机薄膜晶体管
,
苯并噻吩
,
迁移率
,
环境稳定性
景亚霓
,
滕支刚
,
魏志芬
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20142906.1077
利用稳态 SCLC 法和阻抗谱法测量了由溶液工艺制备的 Tips-PEN 薄膜的空穴迁移率,并对两种方法的测试结果进行比较和分析.测试样品是 p＋ Si/PEDOT∶PSS/Tips-PEN/Ag 构成的单载流子器件.稳态 SCLC 法测试的器件Tips-PEN 厚度为87 nm,得到零场迁移率和场依赖因子分别为1.21×10-5 cm2/(V??s)和0.0024(cm/V)1/2；阻抗谱法测试的器件 Tips-PEN 厚度为827 nm,得到零场迁移率和场依赖因子分别为1.219×10-5 cm2/(V??s)和0.00347(cm/V)1/2.稳态 SCLC 法得到的场依赖因子较小,呈现较弱的场依赖关系,其原因是为得到无陷阱模式下的稳态 SCLC 需要施加的电场远远高于阻抗谱测量时的电场,以至于注入较高的载流子浓度.这一结果显示了在较高载流子浓度下迁移率与场的依赖变弱,与理论模型和模拟预测的趋势一致.
关键词:
Tips-Pentacene
,
空间电荷限制电流
,
阻抗谱
,
迁移率
陈龙龙
,
张建华
,
李喜峰
,
石继锋
,
孙翔
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20153005.0796
讨论了基于柔性 PI 基底上的底栅型 TFT 器件工艺,通过工艺优化解决了双层结构干刻速率不同造成的下切角形状。本文 TFT 器件是基于氧化物 IGZO 为有源层,栅绝缘层采用 Si3 N4/SiO2双层结构,采用两次补偿曝光、干刻方式消除干刻引入的下切角形状,有效解决了薄膜沉积引入的断线风险。实验结果表明,经过 SEM 断面观察,干刻后双层结构taper 角度适合 TFT 器件后续沉膜条件,柔性基底上制作的 TFT 器件迁移率达到14．8 cm2/(V.s),阈值电压 V th 约0.5 V,亚域值摆幅 SS 约0．5 V/decade,TFT 器件的开关比 I on/I of ＞106。通过此方法制作出的器件性能良好,满足LCD、OLED 或电子纸的驱动要求。
关键词:
柔性
,
薄膜晶体管
,
铟镓锌氧化物
,
迁移率
