解希玲
,
谭毅
,
李佳艳
,
董伟
,
刘艳娇
,
邹清川
机械工程材料
采用化学腐蚀方法在多晶硅表面制备多孔硅层，通过外吸杂热处理方法进行除杂后对腐蚀不同时间后多孔硅层的形貌、多晶硅少子寿命和电阻率等进行了研究。结果表明：随着腐蚀时间的延长，形成的多孔硅层呈现不同的形貌，多孔壁孔径逐渐变大，少子寿命延长且电阻率增大；腐蚀14min后。多孔硅层局部区域坍塌，孔壁变薄；腐蚀11min时，经850℃吸杂处理的多孔硅层少子寿命和电阻率达到峰值，分别为0．98μs和0．16Ω·cm。
关键词:
多孔硅
,
多晶硅
,
化学腐蚀
,
电阻率
,
少子寿命
李峰
,
杨莺
,
李碧珊
,
陈进
,
邢青青
,
侯志斌
人工晶体学报
基于Valence-Mending概念对Si(100)表面进行S钝化研究.对于Ni/n-Si肖特基接触,S钝化使其肖特基势垒高度向其理想势垒高度靠近了0.09 eV;对于Al/p-Si肖特基接触,S钝化使其肖特基势垒高度向其理想势垒高度靠近了0.08 eV.少子寿命测试结果表明S钝化使Si(100)表面少子寿命提高大约1个数量级;热稳定性实验结果表明560℃时S钝化效果退化;XPS测试结果表明S离子化学吸附在Si表面并形成Si-S键,样品在空气中放置一段时间后表面Si-S键被氧化,表明S钝化抗氧化性不强.
关键词:
S钝化
,
肖特基势垒
,
少子寿命
,
稳定性
,
抗氧化性
李佳艳
,
郭素霞
,
徐强
,
解希玲
,
胡跟兄
,
谭毅
功能材料
以p型单晶硅片为研究对象,在单晶硅片表面采用化学腐蚀方法制备多孔硅层,通过实验选取制备多孔硅的最佳工艺条件,采用SEM观察多孔硅表面形貌,以及用微波光电导法测试少子寿命的变化情况。结果表明,在相同的腐蚀溶液配比条件下腐蚀11min得到的多孔硅层的表面形貌最好,孔隙率最大。在850℃下热处理150min时样品少子寿命的提高达到最大,不同腐蚀时间的样品少子寿命提高程度不同,腐蚀11min的样品少子寿命提高最大,约有10%左右。多孔层的形成伴随着弹性机械应力的出现,引起多孔层-硅基底界面处产生弹性变形,这有利于缺陷和金属杂质在界面处富集。另外,多孔硅仍具有晶体结构,但其表面方向上的晶格参数要比初始硅的晶格参数大,也有利于金属杂质向多孔层迁移。
关键词:
多孔硅
,
单晶硅
,
化学腐蚀
,
少子寿命
何秋湘
,
李京伟
,
白枭龙
,
孙继飞
,
班伯源
,
刘加威
,
陈健
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2016.18.005
为削弱有害杂质元素Fe对多晶硅性能的影响,采用Si-Sn微合金化的途径,研究Sn对不同Fe污染程度时提纯多晶硅(UMG-Si)定向凝固后少子寿命的变化.掺入30 ppmw或100 ppmw Fe杂质后,在Sn元素含量分别为0 ppmw、15 ppmw、30 ppmw、50 ppmw时,测试定向凝固多晶硅少子寿命变化.随着Fe含量增加硅锭少子寿命减少,初始杂质Fe含量为0 ppmw、30 ppmw、100 ppmw时,硅锭中部平均少子寿命分别为0.81 μs、0.52μs和0.40μs.掺入适量的Sn元素,能有效削弱杂质Fe的危害,提高少子寿命.当初始Fe含量为30 ppmw时,掺入Sn为15ppmw、30 ppmw后,硅锭中部平均少子寿命提高23％、25％.当Fe含量为100 ppmw时,掺入Sn含量为15 ppmw、30 ppmw、50 ppmw后,少子寿命可提高40％、50％ 、40％.原子半径比Si大的Sn原子引入晶格应力,抑制间隙原子Fe成核、阻碍Fe扩散,有效减少杂质Fe的危害.
关键词:
Sn
,
杂质Fe
,
多晶硅
,
少子寿命
周涛
,
吴志颖
,
吴元庆
,
路春希
硅酸盐通报
利用Silvaco-TCAD半导体器件仿真软件,全面系统地分析了光照区域结构参数对硅NPN型红外光电晶体管光电转换特性的影响.仿真结果表明:厚度为240 nm/130 nm的SiO2/Si3 N4双层减反射膜在特征波长(λ =0.88μm)处具有最优的光吸收效果和峰值光响应度(RM);为满足器件对红外波段的有效吸收和响应,外延层厚度应选择为55 ～ 60 μm;提高外延层电阻率虽可增大集-射击穿电压(BVCEO),但较高的外延层电阻率同时会降低红外波段光谱响应度;为了获得较高的红外光谱响应度,同时抑制可见光波段的响应,光照区域基区表面浓度应选择为5×1019 cm-3,结深应选择为2.5μm.
关键词:
光电晶体管
,
减反射膜
,
电阻率
,
少子寿命
,
掺杂浓度
,
光谱响应度
张三洋
,
沈鸿烈
,
魏青竹
,
倪志春
,
邢正伟
,
姚函妤
,
吴斯泰
人工晶体学报
采用掺镓晶硅和掺硼晶硅制备的寿命片和太阳电池片分别进行光致衰减实验,用WT-2000少子寿命测试仪和Halm电池电学性能测试仪等研究了它们受光照前后少子寿命和电学性能的变化.发现掺镓单晶寿命片的少子寿命衰减率比掺硼单晶寿命片低50％左右,掺镓单晶PERC电池和掺镓多晶常规电池转换效率的衰减率比掺硼单晶PERC电池和掺硼多晶常规电池分别降低3.41％和0.92％.这些结果表明晶硅太阳电池的光致衰减效应主要是晶硅中少子寿命降低导致的,晶硅掺镓后能有效抑制太阳电池的光致衰减现象.
关键词:
光致衰减效应
,
晶硅太阳电池
,
掺镓晶硅
,
少子寿命
,
衰减率
何秋湘
,
李京伟
,
孙继飞
,
白枭龙
,
熊震
,
陈健
人工晶体学报
通过微合金化获取高性能多晶硅,研究了不同Sn掺入量对定向凝固多晶硅位错及少子寿命的影响.将高纯Sn掺入到精炼冶金级硅(UMG-Si)中,定向凝固多晶硅.研究发现,硅锭位错密度沿轴向分布为中间低,底部和顶部高.在晶体硅中掺入Sn后,不影响硅的电学性能,但明显减少硅锭的位错密度.当掺入Sn含量为20 ppmw、50 ppmw和100 ppmw时,硅锭平均少子寿命由未掺Sn硅锭的0.81μs分别增加至1.22 μs、1.47 μs和1.31μs.掺Sn可减少位错密度和增加少子寿命,归因于替代位的Sn原子引入晶格应力,Sn易捕获空位V形成Sn-V对,抑制间隙原子形核.
关键词:
Sn
,
位错
,
少子寿命
,
多晶硅
,
定向凝固
陈祖良
,
李兆龙
,
王华明
,
岳巍
,
章月红
,
谢裕颖
人工晶体学报
应用1.4 MeV电子束对单向可控硅晶圆芯片进行固定注量率辐照，通过触发电流和少子寿命表征辐照效应，研究了退火工艺对辐照效应的影响。结果表明：电子辐照缩短单向可控硅少子寿命，增大触发电流。经350℃退火后触发电流恢复到辐照前水平，少子寿命虽有一定恢复，但远比辐照前短。在试验的注量范围内k系数为常数，退火后k系数与注量相关，小注量时较小。常温存放对辐照效应有较大影响，长时间存放不利于200℃退火而有利于300℃退火。
关键词:
单向可控硅
,
电子辐照
,
触发电流
,
少子寿命
,
退火工艺
刘志辉
,
罗玉峰
,
龚洪勇
,
饶森林
,
张发云
,
胡云
人工晶体学报
对经过前期提纯的冶金级硅料进行一次性定向凝固生长多晶硅铸锭，研究了长晶阶段降温速率对多晶硅少子寿命的影响。结果显示降温速率越低，获得多晶硅少子寿命越高，但降温速率低到一定程度时，少子寿命反而会降低。通过测试生长多晶硅硅锭曲率半径、晶体结构等数据，分析了该现象的产生原因。这将有助于升级冶金硅一次性定向凝固生长多晶硅铸锭的生产应用。
关键词:
多晶硅
,
冶金硅
,
定向凝固
,
降温速率
,
少子寿命
