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锶铁氧体微管的制备及镧掺杂对其性能的影响

吴晓军 , 景红霞 , 张存瑞 , 李巧玲

稀有金属材料与工程

以Fe(NO_3)_3·9H_2O和Sr(NO_3)_2为原料在水溶液中形成溶胶,以脱脂棉为模板使溶胶在脱脂棉表面形成凝胶,煅烧后得到了SrFe1_2O_(19)微管,并对锶铁氧体进行La掺杂制得磁学性能优良的SrLa_xFe_(12-x)O_(19)(x=0~0.3).采用XRD, SEM和VSM对样品的结构、形貌及磁性能进行了表征.结果表明:制备的La掺杂锶铁氧体基本保留了棉花纤维的生物形态,其外径在8~13 μm之间,壁厚在0.5~1 μm之间.当煅烧温度确定时,随着x值的增大,样品的矫顽力和饱和磁化强度先增加后减小,但饱和磁化强度的变化滞后于矫顽力.

关键词: SrLa_xFe_(12-x)O_(19) , 微管 , 脱脂棉 , 镧掺杂

SiC籽晶背面镀膜对生长晶体品质的影响

刘兵 , 陈治明 , 封先锋 , 林生晃 , 王风府

人工晶体学报

在SiC单晶生长过程中,与籽晶背面升华有关的热分解腔等缺陷的形成严重影响了生长晶体的品质.本文介绍一种可以有效防止籽晶背面升华的预处理方法,即在粘贴籽晶之前,用直流反应溅射法在籽晶背面镀一层均匀、致密的耐高温薄膜TiN.实验结果表明,用这种方法生长的晶体中未发现热分解腔和六方空洞,而且微管密度也有所降低.

关键词: SiC籽晶 , 升华 , 热分解腔 , 微管

碳化硅晶体中异质包裹物与微管道缺陷的关系

孟大磊 , 徐永宽 , 冯玢 , 郝建民

兵器材料科学与工程

对物理气相传输法(PVT)生长的碳化硅单晶中异质包裹物与微管道缺陷之间的关系进行了研究。首先对生长系统中的气体组分进行热力学分析,进而对碳化硅晶片作光学显微镜和扫描电子显微镜观测,在此基础上分析了异质包裹物的生成及其对微管道缺陷产生的影响。发现在生长初期富硅的气氛会在晶体中引入异质相,而异质相的化学计量比失衡会成为诱发微管产生的源头。

关键词: 碳化硅 , Gibbs函数 , 异质包裹物 , 微管

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