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谭婷婷 , 郭婷婷 , 李小晶 , 陈曦 , 冯丽萍 , 刘正堂
稀有金属材料与工程
研究了Cu/HfO2/ITO和TiN/HfO2/ITO 2种结构阻变存储器件的电阻转变特性.2种结构均表现出稳定的、可重复的双极电阻转变行为.Cu/HfO2/ITO器件的电阻转变机制是Cu导电细丝的形成,而对于TiN/HfO2/ITO器件,在TiN项电极和HfO2薄膜中会形成界面层,因此氧空位导电细丝的形成与断裂,是其主要的电阻转变机制.
关键词: HfO2薄膜 , 电阻转变机制 , 金属细丝 , 氧空位
高双 , 曾飞 , 宋成 , 潘峰
材料科学与工艺 doi:10.11951/j.issn.1005-0299.20160401
硅基闪存是当前半导体市场的主流非易失性存储器,但其小型化日益接近物理极限。阳离子迁移型阻变存储器是下一代高速、高密度和低功耗非易失性存储器的有力竞争者之一,近些年受到科学界和工业界的广泛关注。本文从材料、阻变机理和器件性能3个方面综述了阳离子迁移型阻变存储器的研究进展,其中材料部分包括电极材料和存储介质,阻变机理部分包括金属导电细丝的存在、生长模式和生长动力学,而器件性能部分包括开关比、擦写速度、擦写功耗、循环耐受性、数据保持特性以及器件小型化潜力。最后,对本领域的未来研究重点进行了展望。
关键词: 阻变存储器 , 阳离子迁移 , 氧化还原反应 , 金属导电细丝 , 非易失性存储器