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碳化硅修饰碳糊电极测定汞离子

郭凌雁 , 焦晨旭 , 冯鹏青 , 戴虹

材料导报

制备了碳化硅修饰碳糊电极,利用循环伏安法,采用三电极体系测定汞离子的电化学行为.结果表明,以100 mV/s的扫描速度测定pH值为2.33的BR缓冲溶液中的Hg2+时,在0.575 V左右出现一个特征吸收峰,峰电压与Hg2+浓度在1.0×10-7~1.0×10-4 mol/L范围内可呈良好的线性关系,相关系数为0.9971,检出限为3.7×10-8 mol/L,连续测定2周,电极表现出较好的稳定性.

关键词: 碳糊电极 , 碳化硅 , 汞(Ⅱ) , 循环伏安法

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