许岗
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李高宏
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介万奇
材料导报
采用高纯HgI_2多晶原料,利用改进的静态升华法生长了α-HgI_2晶体.生长15天的晶体生长界面呈小平面,而生长29天的晶体生长界面呈椭圆形,表明α-HgI_2晶体气相生长中存在生长形貌转变的现象.形貌转变的原因可能是自由碘在生长界面富集和不同晶面生长速率差异所致.生长29天的晶体体积约为1.3cm~3,可能达到了该条件下的最大体积.
关键词:
碘化汞
,
气相生长
,
形貌转变
许岗
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介万奇
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李高宏
,
孙晓燕
稀有金属材料与工程
利用自行设计的垂直两温区晶体生长炉,采用静态升华法生长α-Hgl2晶体.经过23 d的生长,获得了尺寸约为15 mm×12 mm×5mm的a-Hgl2晶体.通过XRD和4155CVIV电学测试仪表征晶体的相关特性,并对利用该晶体制备的探测器进行核辐射探测性能测试.结果表明,生长的α-Hgl2晶体富碘.对晶体适宜的加热可以有效减少富碘现象.晶体的电阻率约为1012Ω.cm.制备的α-HgI2核辐射探测器对未使用准直器的241Am辐射源(59.5keV)在室温下的分辨率为14.6%(8.69keV).
关键词:
碘化汞
,
热处理
,
探测器
