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锰掺杂对(K_(0.5)Na_(0.5))NbO_3-LiNbO_3压电陶瓷结构和性能的影响

李圣 , 谷良贤 , 唐福生

材料导报

采用传统陶瓷制备工艺制备了(K_(0.5)Na_(0.5))NbO_3-LiNbO_3-xMnO_2压电陶瓷,分析了陶瓷样品的微观组织结构.实验结果表明,随MnO_2掺杂量的增多,陶瓷由四方相转变为正交相,晶粒的均匀性下降并生成K_3LiNb_6O_(17)相.研究了MnO_2不同掺杂量对陶瓷压电性能的影响.结果表明,随锰掺杂量的增加,材料逐渐变"硬",机电耦合系数k_p和压电常数d_(33)逐渐减小,同时Q_m逐渐增大;当MnO_2含量为0.8%(质量分数)时,陶瓷的机械品质因数达到最大,此时陶瓷的压电性能为:k_p=0.34,k_t=0.43,d_(33)=110pC/N,Q_m=401.3.

关键词: 铌酸钾钠-铌酸锂陶瓷 , 锰掺杂 , 压电性能 , 机械品质因数

锰掺杂对0.2PZN-0.8PZT陶瓷压电性能的影响

侯育冬 , 杨祖培 , 高峰 , 屈绍波 , 田长生

无机材料学报

研究了锰掺杂对0.2PZN-0.8PZT(PZNT)陶瓷微观结构及压电性能的影响,结果表明:随锰离子的添加,陶瓷晶粒长大,烧结致密;晶格发生畸变,体系的相结构由四方相向三方相过渡,居里点降低。此外,锰掺杂使材料体系“变硬”,ε33T0和tanδ变小,Qm值增加,同时瓷体较高的致密度又保证了Kp不致降低。

关键词: 锰掺杂 , PZN-PZT , piezoelectric properties

锰掺杂对硬性PZT材料压电性能的影响

贺连星 , 李承恩

无机材料学报

研究了锰掺杂对PZT材料微结构及压电性能的影响,并用ESR确定了锰在PZT材料中的价态.结果表明,锰在PZT材料中主要以 Mn2+和 Mn3+的方式共存.锰在PZT陶瓷材料中的“溶解度”约为1.5mol%.锰含量<0.5mol%时,Mn将以Mn2+和Mn3+的方式优先进入晶格 Pb位,使材料的压电性能提高,表现出施主杂质特性;锰浓度处于 0.5~1.5 mol%时,部分Mn将以Mn3+或Mn2+的方式进入晶格中(Zr;Ti)位,而此浓度范围内锰掺杂的PZT材料同时表现出“软性”和“硬性”材料的压电特性.锰含量>1.5mol%时,过量的Mn将在晶界积聚,使压电活性降低.少量Fe的存在,可使Mn离子的溶解度降低,并起到抑制Mn2+和 Mn3+氧化的作用.

关键词: 锰掺杂 , PZT , piezoelectric properties

锰掺杂对硬性 PZT材料压电性能的影响

贺连星 , 李承恩

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2000.02.016

研究了锰掺杂对PZT材料微结构及压电性能的影响, 并用ESR确定了锰在PZT材料中的价态. 结果表明,锰在PZT材料中主要以Mn2+和Mn3+的方式共存. 锰在PZT陶瓷材料中的“溶解度”约为1.5mol%. 锰含量<0.5mol%时, Mn将以Mn2+和Mn3+的方式优先进入晶格Pb位, 使材料的压电性能提高,表现出施主杂质特性;锰浓度处于0.5~1.5 mol%时, 部分Mn将以Mn3+或Mn2+的方式进入晶格中(Zr,Ti)位,而此浓度范围内锰掺杂的PZT材料同时表现出“软性”和“硬性”材料的压电特性. 锰含量>1.5 mol%时, 过量的Mn将在晶界积聚,使压电活性降低. 少量Fe的存在,可使Mn离子的溶解度降低,并起到抑制Mn2+和Mn3+氧化的作用.

关键词: 锰掺杂 , PZT , 压电性能

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