唐瑞鹤杨志刚张弛杨白刘晓芳于荣海
金属学报
doi:10.3724/SP.J.1037.2010.00546
采用磁控溅射法在硅基片上制备了Co原子分数为13.0%的Co-C纳米复合薄膜. 在真空条件下, 对薄膜进行退火处理, 退火温度从 473 K逐步提高至773 K, 保温时间30 min. 形貌观察表明, 未经退火处理的薄膜中, Co颗粒均匀分布在非晶C基体中, Co颗粒尺寸为1.5-3.0 nm; 673 K退火后, Co颗粒尺寸增大. 磁性能测试表明, 未经退火处理的薄膜磁性较弱, 随着退火温度升高, 薄膜的磁化强度和矫顽力均明显增大; 当退火温度增加至673-773 K时, 薄膜呈现出低温铁磁性、室温超顺磁性的典型颗粒体系磁性特征. 磁输运特性研究表明, 未经退火处理的薄膜在温度为4.2 K, 磁场为3980 kA/m时表现出1.33%的负磁电阻, 随着退火温度升高, 样品磁电阻值下降; 电阻与温度关系在4.2-60 K范围内符合lnR-T-1/4线性关系, 磁输运遵循变程跳跃 (variable range hopping)传导机制.
关键词:
Co-C纳米复合薄膜
,
annealing
,
microstructure
,
magnetotransport property
,
magnetic property
