唐立丹
,
梅海林
,
冯嘉恒
,
王冰
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2015.18.021
采用原子层沉积技术与改进的Al掺杂模式在石英玻璃基体上低温制备AZO 薄膜,利用椭圆偏振仪、原子力显微镜、X 射线衍射仪、X 射线光电子能谱仪、Hall效应测试仪系统地对样品的生长速率、表面形貌、晶体结构、薄膜成分与电学性能进行了表征和分析.结果表明,采用原子层沉积在150℃下制备 AZO薄膜,其为六方纤锌矿结构,Al 掺杂对 ZnO 的(002)有明显的抑制作用,Al 在基体中弥散分布,其部分替换ZnO 晶格中的Zn,以Al—O 的形式存在于晶体中,晶体中存在大量的氧空位,最佳铝锌循环比为1∶19,此条件下AZO 薄膜电阻率为4．61×10－4Ω·cm.
关键词:
Al 掺杂 ZnO
,
原子层沉积
,
低温生长
,
晶态薄膜
曹章轶
,
吴敏
,
张冬冬
机械工程材料
doi:10.11973/jxgccl201508014
采用低温三步共蒸发法在柔性聚酰亚胺衬底上制备了铜铟镓硒(CIGSe)薄膜,利用扫描电子显微镜和X射线衍射仪表征了CIGSe薄膜的结晶质量和晶体结构,探讨了低温沉积工艺中第二步和第三步衬底温度与薄膜晶粒尺寸、织构取向和结晶性能的关系.结果表明:随着第二步和第三步衬底温度同时升高,CIGSe薄膜的晶粒尺寸逐渐增大,镓的两相分离现象逐渐消失;保持第二步衬底温度不变,随着第三步衬底温度进一步升高,CIGSe薄膜的晶粒尺寸继续增大,薄膜的结晶质量显著改善;第二步和第三步衬底温度的变化对CIGSe薄膜的织构取向基本没有影响.
关键词:
铜铟镓硒薄膜
,
衬底温度
,
低温生长
,
结晶质量
王婧
,
吴霞
,
邓朝勇
,
朱孔军
,
南策文
无机材料学报
doi:10.15541/jim20140019
由铁氧体(如： CoFe2O4, NiFe2O4)和铁电相(如： BaTiO3, Pb(ZrxTi1-x)O3)组成的复合材料是经典的复合磁电材料,也是最早在室温下观察到大磁电耦合效应的复合材料。这类复合材料的制备通常是在高于1200℃的高温条件下将铁氧体相和铁电相两相共烧而成。然而,在高温过程中不可避免的存在原子互扩散及两相界面反应,甚至出现微裂纹。本文综合介绍了几种通过直接在一种铁性氧化物块体上生长另一种铁性陶瓷膜的方法,从而实现铁电、铁磁两相之间的低温复合(一般不高于800℃),避免了高温共烧过程中的固有问题,并展示了此类膜/块体复合体系的磁电耦合性能常用的表征方法。
关键词:
膜/块体复合
,
磁电效应
,
低温制备
,
综述
