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低压化学气相沉积法生长 B 掺杂 ZnO 薄膜及其性能

徐小科 , 赵俊亮 , 李效民 , 吴永庆 , 杨哲 , 何兵

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2015.07.009

低压化学气相沉积法生长的 B 掺杂 ZnO 薄膜具有良好的光散射特性,可以用作硅基薄膜太阳能电池的前电极.以 Zn (C2 H 5)2和 H 2 O 为前驱体, B2 H 6为掺杂物,通过低压化学气相沉积法在玻璃衬底上生长了 B 掺杂 ZnO 薄膜.通过 XRD、FESEM、四探针测试仪等手段对样品的结构特征、微观形貌及导电性能进行表征,着重研究了(110)取向的 BZO 薄膜的生长机理.结果表明,厚度在500 nm 以下的 BZO 薄膜主要表现为(002)取向,随着厚度的增加,薄膜取向开始向(110)转变.所得 BZO 镀膜玻璃在400~1000 nm范围内总透过率>80%,雾度最高可达28%(550 nm),方块电阻最低约7Ω/□,电阻率最低约1.0×10-3Ω?cm.

关键词: BZO , 透明导电氧化物 , 生长机理 , 雾度 , 低压化学气相沉积(LPCVD)

B掺杂量对LPCVD生长大面积ZnO透明导电薄膜性能的影响

黄建华 , 刘怀周

人工晶体学报

采用低压化学气相沉积(LPCVD)技术在大面积的玻璃衬底上制备了B掺杂ZnO(BZO)透明导电薄膜,研究了不同B2H6掺杂量对BZO薄膜微观形貌、导电能力及其均匀性、透光率等性能的影响.结果表明,所制备的BZO薄膜表面具有自生长的绒面结构;B2H6掺杂量由30 sccm增加到60 sccm,BZO薄膜的方阻由28.6Ω/□减小到14.1 Ω/□,导电能力显著增强,同时方阻均匀性也明显提升;BZO薄膜在长波区的透光率随B2H6掺杂量的增加而明显降低,综合透光率结果,最佳B2H6掺杂量控制在60~ 90 sccm之间.

关键词: 低压化学沉积 , B掺杂ZnO薄膜 , 透明导电氧化物 , 方块电阻 , 均匀性 , 绒面结构

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