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低压化学气相沉积生长双层石墨烯及其电输运特性研究

曾亭 , 吴革明 , 赵鸿滨 , 杨萌萌 , 魏峰 , 杜军

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2013.04.012

采用低压化学气相沉积法(LPCVD)以铜箔为生长衬底来制备石墨烯.XRD表征得石墨烯生长前后铜箔衬底主要为(100)晶面,而且铜箔在高温下退火晶粒明显长大有利于高质量石墨烯的生长.拉曼光谱表明所制备的石墨烯为双层结构.通过转移、刻蚀等工艺制备了石墨烯场效应晶体管(G-FET)原型器件,其转移特性曲线(IDS-VGS)表明所制备的石墨烯表现为p型输运特性.在器件中石墨烯的XPS图谱说明了石墨烯吸附有有机物基团,导致p型特性的部分原因.同时本文研究了真空退火对G-FET器件性能的影响,结果表明:退火温度为200℃时,G-FET的空穴载流子迁移率最佳;而随着温度增加,开关比(ON-OFF ratio)在不断减小,载流子迁移率迅速在降低.

关键词: 石墨烯 , 低压化学气相沉积法 , Raman光谱 , 光刻和刻蚀 , 退火 , 输运特性

低压化学气相沉积MoSi_2涂层微观结构及氧化性能

吴恒 , 李贺军 , 王永杰 , 付前刚 , 魏建锋 , 王海鹏

材料科学与工艺

为了防止Mo合金的高温氧化,本研究采用低压化学气相沉积技术在Mo合金表面制备MoSi2抗氧化涂层,借助X射线衍射仪、扫描电镜及能谱仪等分析手段,对涂层的微观结构进行了研究,测试了涂层的抗氧化和抗热震性.结果表明:MoSi2涂层结构致密,仅有少量微裂纹存在,表现出良好的抗热震和抗氧化性能;经20次1300℃-室温循环热震实验后,涂层未出现开裂与脱落现象;涂层试样在1300℃氧化气氛下氧化180 h,失重率小于0.83%,分析揭示了涂层试样氧化失重的主要原因为氧扩散通过涂层与Mo基体发生反应,生成极易挥发的MoO、MoO2、MoO3,氧在涂层中的扩散速率决定了涂层的失重速率.

关键词: 低压化学气相沉积法 , MoSi2涂层 , 微观结构 , 抗氧化

ITO/BZO复合薄膜制备及在非晶硅薄膜太阳能电池的应用

黄建华 , 刘怀周

人工晶体学报

采用低压化学气相沉积(LPCVD)法在沉积ITO薄膜的玻璃衬底上制备了硼掺杂氧化锌(BZO)薄膜,研究了ITO缓冲层对ITO/BZO复合薄膜表观形貌、导电性能和光学性能的影响;并研究了ITO/BZO薄膜在非晶硅薄膜太阳能电池的应用.结果表明,以ITO作为缓冲层来沉积BZO薄膜,有利于BZO晶粒尺寸的长大,并可以显著提高BZO薄膜的导电能力.ITO/BZO复合薄膜具有相对较高的导电能力和光学透光率,应用在非晶硅薄膜太阳能电池时转化效率提高0.20%.

关键词: 透明导电氧化物 , 硼掺杂氧化锌 , 复合薄膜 , 低压化学沉积 , 非晶硅薄膜太阳能电池

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