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利用超临界二氧化碳制备低介电常数聚酰亚胺微孔薄膜

李晓文 , 吴东森 , 刘鹏波

高分子材料科学与工程

利用超临界CO2发泡技术,制备了一种低介电常数的聚酰亚胺微孔薄膜.扫描电子显微镜观察表明,微孔薄膜具有实心表层及中心微孔层结构,中心微孔层内泡孔孔径约2 μm,泡孔分布均匀.在相同的发泡温度下,发泡时间在10 s内,随着发泡时间增长,孔径较小(<1μm)的泡孔数目明显减小,泡孔尺寸增大.发泡约10 s后,泡孔尺寸变化略微增加.在230℃~270℃范围内,发泡温度越高,微孔薄膜中心微孔层内的泡孔孔径越小,孔径分布越均匀,泡孔密度越大,薄膜密度也越小.拉伸性能测试表明,随着密度减小,聚酰亚胺微孔薄膜的拉伸强度和拉伸模量下降.介电性能分析表明,聚酰亚胺微孔薄膜的介电常数明显下降,当密度为0.75 g/cm3时,聚酰亚胺微孔薄膜的介电常数降至2.21;在102 Hz~107 Hz频率范围内,微孔薄膜的介电常数具有较高的频率稳定性.

关键词: 聚酰亚胺 , 低介电常数 , 微孔薄膜 , 超临界二氧化碳

紫外辐照对超低介电常数SiCOH薄膜组成与机械性能的影响

付爽 , 胡龙龙 , 孟庆伟 , 丁士进 , 范仲勇

功能材料

采用紫外光辐照超低介电常数多孔SiCOH薄膜,研究不同照射时间对薄膜结构和性能的影响。采用动态纳米压入技术测量薄膜的力学性能,发现随照射时间增加,薄膜的模量(Er)和硬度(H)不断提高。当辐照时间增至6h时,薄膜力学强度分别达到Er约7.4GPa,H约1.0GPa。傅里叶变换红外光谱(FT-IR)、X射线光电子能谱(XPS)分析表明紫外辐照处理能够使薄膜样品中发生键的断裂与重新结合,从而改变了薄膜骨架的交联密度和刚性,进而提高力学性能。但介电性能并未受到明显影响,紫外辐照6h后,k值仅从2.0增至2.2。

关键词: 紫外辐照 , 多孔SiCOH薄膜 , 力学性能 , 低介电常数

溶胶-凝胶法制备低折射率和低介电常数介孔二氧化硅薄膜

沈军 , 欧阳玲 , 林雪晶 , 谢志勇 , 罗爱云

稀有金属材料与工程

采用溶胶-凝胶技术,蒸发诱导自组装法(EISA)工艺制备了二氧化硅透明有序介孔薄膜.以十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)作为模板剂,正硅酸乙酯(TEOS)为硅源前驱体,基片采用双面抛光的硅片,利用提拉法制备薄膜.经过表面修饰剂六甲基二硅胺烷(HMDS)修饰后,薄膜具有疏水性能,而且薄膜的二氧化硅骨架结构更稳定.由椭偏仪测得热处理后的薄膜的折射率低至1.18,而薄膜的介电常数为2.14.

关键词: 介孔薄膜 , 溶胶-凝胶 , 低折射率 , 低介电常数

应用低介电材料丙烯酸酯树脂作为TFT-LCD的钝化层材料

周伟峰 , 薛建设 , 明星 , 刘翔 , 郭建 , 谢振宇 , 赵承潭 , 陈旭 , 闵泰烨

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20112601.0019

将具有低介电常数的丙烯酸酯树脂作为薄膜晶体管液晶显示器的钝化层整合到阵列基板中.与传统的SiN<,x>薄膜(ε≈7)相比,丙烯酸酯树脂钝化层具有平坦的表面,其低介电常数(ε≈4.5)可以降低器件的RC延迟,这都将有利于提高薄膜晶体管液晶显示器的开口率,从而提高显示器的亮度,降低能耗和制作成本.

关键词: 薄膜晶体管液晶显示器 , 低介电常数 , 丙烯酸酯树脂 , 钝化层

几种典型的低介硅酸盐微波陶瓷材料的研究现状

江婵 , 刘庭立 , 郑留群

硅酸盐通报

概述了MgO-SiO2,Zn2SiO4,CaSiO3和Re2O3-SiO2(Re=稀土元素)等低介电常数硅酸盐微波陶瓷材料体系的研究进展.讨论了微波介质陶瓷的结构、微波介电性能、降温方法、机理及其存在的问题,指出了微波陶瓷材料今后的研究方向.

关键词: 微波介质陶瓷 , 硅酸盐 , 低介电常数 , 介电性能

低介电常数聚酰亚胺薄膜的研究进展

贝润鑫 , 陈文欣 , 张艺 , 刘四委 , 池振国 , 许家瑞

绝缘材料 doi:10.16790/j.cnki.1009-9239.im.2016.08.001

在信息科技产业领域,微电子产品的多功能化、高性能化及轻薄化的发展大大推动了超高密度和超大规模集成电路关键技术及材料的发展.为了解决高密度集成所带来的信号延迟和功率损耗等问题,新一代高性能低介电甚至超低介电材料的开发成为这一领域最重要的研究方向之一.聚酰亚胺作为重要的绝缘封装材料,广泛应用于航天航空和微电子信息领域.本文综述了近年来国内外关于低介电常数聚酰亚胺薄膜的研究进展,并对未来高性能低介电聚酰亚胺材料的研究方向作了展望.

关键词: 聚酰亚胺 , 低介电常数 , 本征型 , 多孔性 , 成膜工艺

固相法制备低温烧结B2O3-P2O5-SiO2系低介陶瓷材料

李勃 , 岳振星 , 周济 , 桂治轮 , 李龙土

无机材料学报

采用传统的电子陶瓷生产工艺,制备出一种B-P-SiO系瓷料.该体系材料加入少量助烧剂可在900℃,空气气氛中烧结,获得低介电常数陶瓷.得到烧结体的介电常数ε≤5、介电损耗tanδ≤3×10-3(1MHz);有望用于超高频叠层片式电感领域.

关键词: 低介电常数 , low sintering temperature , multi-layer chip inductors

旋转涂覆法制备硅基多孔低k薄膜材料的研究进展

殷桂琴 , 袁强华

材料导报

详细介绍了目前采用旋转涂覆(Spin-on deposition)法制备硅基多孔低k薄膜材料(MSQ及HSD)的方法及技术,其次介绍了用FTIR对低介电MSQ及HSQ薄膜的结构的分析,最后指出了等离子体处理对薄膜表面改性研究的主要进展以及存在的问题和今后的研究方向.

关键词: 低k多孔材料 , SOD沉积技术 , 等离子体处理

低介电常数无氟聚酰亚胺薄膜制备方法的研究进展

姬亚宁 , 唐小青 , 刘业强 , 周福龙

绝缘材料 doi:10.16790/j.cnki.1009-9239.im.2016.09.005

介绍了近年来低介电常数无氟聚酰亚胺薄膜的制备方法以及进展情况,重点阐述了多孔法与化学法,分析了各种制备方法的优缺点,并指出了化学法中的侧链枝法将具有较好的应用前景。

关键词: 低介电常数 , 聚酰亚胺 , 无氟

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