洪晓东
,
韦宝权
高分子材料科学与工程
介绍了在原子力显微镜（AFM）轻敲模式下使用普通硅针尖在球形结构的苯乙烯-乙烯/丁烯-苯乙烯三嵌段共聚物（SEBS）薄膜表面锻造凹痕和凸痕纳米图案的工艺方法;从嵌段共聚物薄膜的微观结构出发,研究了SEBS薄膜表面的不同相分离形态对锻造压痕的影响,结果证实,只有六角状球形结构的薄膜才能用于制备压痕,其原因是由于该结构样品具有较低的硬度和模量;通过与均聚物PS薄膜比较得出,球形相分离形态的SEBS薄膜具有容易发生变形、压痕精度高、无边界堆积等优点。
关键词:
纳米图案
,
压痕
,
嵌段共聚物
,
原子力显微镜
山口佳一
,
征矢野晃雅
,
島基之
影像科学与光化学
光刻技术在半导体器件大规模生产中发挥重要作用.今天,多数先进半导体生产都已经应用ArF准分子激光浸润光刻技术.双重图像曝光和侧壁图像转移技术使ArF准分子激光浸润光刻技术延伸到32纳米半节距(HP)器件的制造成为可能.为了制造更小尺寸的器件,必须开发新的制造工艺.极端紫外线光刻是制造22纳米半节距甚至更小尺寸半导体器件的先进下一代光刻技术解决方案.另外,其他技术解决方案,如纳米压印光刻技术和无掩模直描光刻技术等也被考虑用于制造更小节点尺寸的器件,但是目前这些方案仅仅处在研发阶段,而且在现阶段就已经呈现出在大规模生产中的诸多困难.本文从材料的角度对光刻技术进行一个整体描述,并对光刻技术未来趋势进行讨论.
关键词:
光刻技术
,
纳米器件
,
分辨力增强
,
光刻胶材料
李阳平
,
陈海波
,
刘正堂
,
武倩
,
郑倩
,
张淼
,
徐启远
材料科学与工艺
为了获得具有金字塔结构的二维亚波长结构表面，提高其高宽比，用掩模曝光光刻及反应离子刻蚀技术，以SF6和02为反应气体，在Ge衬底上制备了二维亚波长结构，用扫描电镜对刻蚀图形的形貌进行了观察，研究了功率、气压、气体流量及掩模图形对刻蚀图形的影响，结果表明：刻蚀图形腰部被优先刻蚀，形成凹陷的侧壁轮廓；02流量增大有利于在侧壁形成保护层，从而减小腰部刻蚀、增大顶部及根部刻蚀；功率及气压过大或过小均会使侧壁刻蚀较大；方形图案比圆形图案掩模更有利于刻蚀出深度较大的亚波长结构。
关键词:
锗
,
光刻
,
反应离子刻蚀
,
亚波长结构
,
掩模
王宽
,
刘敬成
,
刘仁
,
穆启道
,
郑祥飞
,
纪昌炜
,
刘晓亚
影像科学与光化学
doi:10.7517/j.issn.1674-0475.2016.02.123
随着微电子工业的蓬勃发展,光刻技术向着更高分辨率的方向迈进,运用底部抗反射涂层有效消除光刻技术中的驻波效应、凹缺效应,提高关键尺寸均一性和图案分辨率,引起了广大研究者的关注.本文简要介绍了光刻胶和光刻技术,底部抗反射涂层的分类、基本原理、刻蚀工艺以及其发展状况.重点对底部抗反射涂层的最新研究进展进行了总结,尤其是碱溶型底部抗反射涂层在光刻胶中的应用研究,最后对底部抗反射涂层的发展前景和方向进行了展望.
关键词:
光刻胶
,
光刻技术
,
底部抗反射涂层
