Rongjun XIE
,
Tianliang ZHOU
,
Kohei TAKAHAHIS
,
Naoto HIROSAKI
应用化学
doi:10.11944/j.issn.1000-0518.2016.08.160240
GaN-based white light-emitting diode(LED) is now an emerging backlight technology for large color gamut and high efficiency liquid crystal displays. In this technology, phosphors are key materials to control the color-space coverage, luminous efficiency, and lifetime of the backlight units, which are required to have a desired emission and a narrow emission band. β-Sialon:Eu2+(sialon:silicon aluminum oxynitride, Si6-zAlzOzN8-z) is such a green phosphor because it has an emission band centered at 525~545 nm and a small band width(~55 nm). This contribution overviews the synthesis, luminescence, electronic and crystal structure, reliability and applications of β-sialon:Eu2+. From both structure calculations and experimental observations, Eu2+ is seen to be accommodated into a large void along the c-axis, and coordinated to six nitrogen/oxygen atoms at an equivalent distance. The narrow emission band is thus ascribed to the high symmetry of the local structure of Eu2+. Both of the emission band and the band width of β-sialon:Eu2+ can be tuned by tailoring the composition(e.g., the z value), and β-sialon:Eu2+ with shorter wavelengths and narrower bands can be achieved at lower z values. Combined with other red phosphors, β-sialon:Eu2+ enables to produce wider color gamut backlights(15% up) than the conventional yttrium aluminum garnet(YAG)-based ones. Both the excellent luminescence properties and reliability make β-sialon:Eu2+ to be an extremely important green phosphor for use in advanced displays.
关键词:
rare earth
,
nitride
,
beta-sialon:Eu2+
,
phosphor
,
electronic structure
,
light-emitting diode
,
backlighting
解荣军
,
周天亮
,
高桥向星
,
广崎尚登
应用化学
doi:10.11944/j.issn.1000-0518.2016.08.160240
基于氮化镓的白光发光二极管(LED)是目前一项崭新的背光源技术,广泛应用于宽色域、高光效的液晶显示屏.在此项技术中,作为关键材料的荧光粉决定着背光单元的色域范围、发光效率和可靠性,因而要求它应具合适的发射波长和窄带发射.β-sialon∶ Eu2+(sialon:silicon aluminum oxynitride(赛龙))就是一款非常适合背光应用的绿色荧光粉,这得益于其位于525 ～ 545 nm发射峰和只有55 nm狭窄的峰宽.此文回顾和综述了β-sialon∶ Eu2+的合成方法、光谱特性、电子结构、晶体结构、可靠性和它的具体应用.计算模拟和实验测试结果表明,Eu2+位于沿c轴方向的大孔道之中,并与6个最紧邻的(0,N)原子等距离配位.因而,Eu2+的狭窄发射峰源自于Eu2+局域结构的高度对称性.β-sialon∶ Eu2+的发射波长和带宽都能通过组成裁剪,即z值,进行调控;低z值组成能够实现更短波长发射和更窄带宽.与传统的基于钇铝石榴石(YAG)荧光粉的背光源相比,β-sialon∶ Eu2+再搭配红色荧光粉制备的背光源具有更宽的色域,色域范围可提高15％以上.其优异的发光性能和高可靠性使得β-sialon∶ Eu2+成为应用于先进显示屏的极其重要的绿色发光材料.
关键词:
稀土
,
氮化物
,
beta-sialon∶Eu2+
,
荧光粉
,
电子结构
,
发光二极管
,
背光源
丁辉龙
,
何莼
,
叶家明
,
陈喆垚
电镀与涂饰
为了满足发光二极管(LED)照明市场目前及日后持续快速增长的迫切需要,开发了一种用于引线框架的新型高光亮度银电镀产品.该镀银液含有的氰化物浓度低,所得银镀层具有高光亮度(≥ 2.0 GAM)和高反射率(波长450 nm下≥94％),能降低光吸收损失,增大光反射,从而提高LED的出光效率,并且键合及焊接性能优良.该新型高光亮度银电镀产品工艺操作范围宽,可用于40～ 100A/dm2下的高速喷镀设备,能稳定生产出高光亮度及性能优异的银镀层,提高生产力.
关键词:
发光二极管
,
引线框架
,
镀银
,
光亮度
,
键合性能
,
可焊性
F.P. Wenzl
,
P. Fulmek
,
C. Sommer
,
S. Schweitzer
,
W. Nemitz
,
P. Hartmann
,
P. Pachler
,
H. Hoschopf
,
F. Schrank
,
G. Langer
,
J. Nicolics
稀土学报(英文版)
doi:10.1016/S1002-0721(14)60052-1
关键词:
孟国云
,
陈泽宇
,
刘永
,
魏丽莹
,
汪正良
,
唐怀军
无机材料学报
doi:10.15541/jim20150179
将硅酸乙酯水解得SiO2溶胶,陈化ld后掺入15.0wt％阳离子铱(Ⅲ)配合物[Ir(ppy)2(o-phen)] [PF6](ppy∶2-苯基吡啶;o-phen∶1-乙基-2-(4-(5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑-2-基)-苯基)-1H-咪唑并[4,5-f][1,10]菲哕啉),45℃恒温3d后室温放置10d得干凝胶,再经研磨和150℃干燥8h制得黄色发光微粉.将所得的发光微粉按6.0、9.0、12.0、15.0、18.0和21.0wt％掺入到环氧树脂中,作为下转换发光材料涂敷在395 nm发射的InGaN芯片上制备成LED器件.掺入12wt％ SiO2微粉的LED发光性能最佳,在40.0 mA正向电流和5V反向电压下,该LED达到最大发光效率51.9 lm/W,CIE色坐标为(0.42,0.42).
关键词:
阳离子铱(Ⅲ)配合物
,
发光二极管
,
下转换发光材料
,
溶液-凝胶法
孙雷
,
张毅
,
胡兴凯
,
田浩
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20142906.0893
荧光粉转化法是目前制备白光 LED 的主流技术.但是商业化的荧光粉由于缺少红色部分或红色不稳定,使得制备出的 LED 灯泡颜色偏冷,因此研制低成本、性能稳定的红色荧光粉具有重要的意义.本项目以化学性质稳定、合成工艺温和的硼酸盐 KZn4(BO3)3为基质,掺杂稀土离子来研究荧光粉的发光性能.通过高温固相法合成了一系列不同掺杂浓度的 KZn4(BO3)3∶Eu3＋,并测试了 XRD 衍射图谱,发射和激发光谱.研究表明 Eu3＋离子倾向于占据 Zn2＋格位.同时,KZn4(BO3)3∶Eu3＋的最佳激发波长(393 nm)位于近紫外波段,适于用近紫外 LED 芯片激发来制备 LED.KZn4(BO3)3∶Eu3＋的最强发射峰位于590 nm,属于5 D0-7 F1跃迁.当发生浓度猝灭时,Eu3＋-Eu3＋离子间的临界距离为3 nm.该荧光粉的色坐标为(0.6297,0.3699),色饱和较高.该物质是一种潜在的可被用于 LED 照明用的红色荧光粉.
关键词:
材料
,
发光二极管(LED)
,
荧光粉
,
稀土离子
,
发光性能
刘萍
,
曾葆青
,
王亚雄
,
汪江浩
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2017.07.002
基于纳米线的透明导电薄膜具有光电性能优异、制备成本低廉以及可用于制备柔性器件等优点,在透明导电薄膜材料领域占据重要地位.文章着眼于阐述纳米线透明导电薄膜的制备及其在光电器件中的应用.首先详细介绍了滴涂、浸渍、抽滤、迈耶棒涂布、旋涂、喷印、印刷等7种制备纳米线透明导电薄膜的方法.光电器件是应用透明导电薄膜的重要领域,文章还介绍了纳米线透明导电薄膜在太阳能电池和电致发光器件中的应用.纳米线透明导电薄膜中,银纳米线和铜纳米线透明导电薄膜最受关注,其制备工艺日趋完善,有望率先在工业应用中取得突破.
关键词:
银纳米线
,
铜纳米线
,
透明导电薄膜
,
太阳能电池
,
电致发光器件
