林晓棋
,
满卫东
,
张玮
,
吕继磊
,
江南
硬质合金
doi:10.3969/j.issn.1003-7292.2013.10.009
单晶金刚石具有诸多多晶金刚石所无法替代的优良性能,是新世纪高端技术领域发展所需的重要材料.随着技术的不断改进,MPCVD法合成单晶金刚石的生长速率、质量和尺寸都有了很大的提高.目前,应用最新的MPCVD技术合成的单晶金刚石,其最高生长速率达到200 μm/h,合成尺寸达到英寸级,为单晶金刚石在超精密加工、光学元器件、半导体、探测器等高技术领域的应用提供了有力的支撑.本文主要综述了进入二十一世纪以来,MPCVD单晶金刚石的研究进展,并对其应用作简单的介绍.
关键词:
MPCVD
,
金刚石
,
单晶
,
lift-off
,
马赛克
何大伟
,
程新红
,
王中健
,
徐大朋
,
宋朝瑞
,
俞跃辉
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2010.02.004
本文采用反转胶lift-off工艺,对比分析了金属淀积方式、光刻胶的选择及光刻胶烘干时间对金属剥离效果的影响,制备出最小线宽4μm,最小间距4μm,厚度为1μm,线宽误差小于0.5μm的金属线条,并最终实现具有三层金属的堆栈电感,经光学显微镜和台阶仪观测表明,器件外观良好成品率高.
关键词:
堆栈电感
,
lift-off
,
金属剥离
,
反转胶
,
SOI
汪桂根
,
崔林
,
韩杰才
,
王新中
,
严帅
,
秦国双
人工晶体学报
首先在蓝宝石衬底上旋涂PMMA/copolymer双层胶,然后再进行电子束光刻处理,随后溅射铝膜,并结合剥离技术,从而制备图形化金属铝膜；最后再采用两步热处理法,使图形铝膜发生固相外延反应.在此过程中,侧重于电子束光刻和高温热处理的工艺优化研究.SEM测试结果表明,图形化铝膜在450℃低温氧化热处理24h后,其图形形貌没有发生明显改变；在温度低于1200℃的高温热处理1h后,图形仍然存在.HRXRD分析表明,图形化铝膜在450℃低温热处理24h后再在1000℃高温热处理1h,可在蓝宝石衬底上形成氧化铝外延薄膜；并且相比于基片,氧化铝外延薄膜的结晶质量还有所提高.本方法成功实现了高效大功率用LED蓝宝石图形衬底的制备.
关键词:
蓝宝石
,
图形衬底
,
电子束光刻
,
剥离
,
发光二极管
J. Xu
金属学报(英文版)
Gallium Nitride film was successfully separated from sapphire substrate by laser radi-ation. The absorption of the 248nm radiation by the GaN at the interface results inrapid thermal decomposition of the interfacial layer, yielding metallic Ga and N2 gas.The substrate can be easily removed by heating above the Ga melting point (29℃).X-ray diffraction, atomic force microscopy and Photoluminescence of GaN before andafter lift-off process have been performed, which demonstrated that the separation andtransfer process do not alter the structural quality of the GaN films. And further dis-cussions on the threshold energy and crack-free strategies of laser lift-off process havealso been presented.
关键词:
GaN
,
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