周建博
,
奚海波
,
张乔根
绝缘材料
为建立基于泄漏电流特征量的复合绝缘子憎水性能诊断方法，研究了在饱和湿度情况下，污秽度和憎水性能对泄漏电流最大值、泄漏电流出现次数及累积放电量的影响，用聚类分析法对复合绝缘子的憎水性能进行诊断。结果表明：泄漏电流最大值随污秽度和憎水性等级的变大呈增加趋势，污秽度和憎水性能影响泄漏电流幅值的区间不同，污秽度主要影响泄漏电流的低幅值部分，而憎水性能主要影响泄漏电流的高幅值部分，造成这种差异的原因是污秽度和憎水性能对复合绝缘子表面电阻的影响不同；污秽度对复合绝缘子表面累积放电量的影响更明显。使用聚类分析法，选取的泄漏电流特征量能够实现对复合绝缘子憎水性能的诊断。
关键词:
复合绝缘子
,
泄漏电流
,
污秽度
,
憎水性能
,
聚类分析法
潘瑞琨
,
刘攀克
,
黎明锴
,
何云斌
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2015.18.001
采用脉冲激光沉积法(PLD),在掺铌的钛酸锶单晶基片(Nb∶SrTiO3,NSTO)上外延生长了15 nm厚度的BTO薄膜.并采用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)等技术,分别测试了BTO薄膜的晶相结构和微观形貌与结构,证实了薄膜的外延生长特征.以磁控溅射法制备金属铂(Pt)上电极,在室温下测试了BTO薄膜的电流-电压(I-V)曲线.通过拟合I-V曲线,结果表明:在正向电压下,薄膜的漏电流符合空间电荷受限电流机制(SCLC);在反向电压下,漏电流先为普尔-弗伦克尔发射机制(Poole-Frenkel emission),随着反向电压的升高,转变为福勒-诺德海姆隧穿机制(Fowler-Nordheim tunneling).分析指出,在Pt/BTO界面存在一个可变的肖特基势垒,该势垒受到BTO薄膜内部迁移的氧空位影响,从而决定了上述漏电流机制.
关键词:
BaTiO3薄膜
,
结构
,
漏电流机制
,
肖特基势垒
张先来
,
马卜
,
吕刚
,
李泽端
,
魏雄强
绝缘材料
通过新型国产水溶性硅钢片漆D064与传统溶剂型硅钢片漆GC-A的平行对比试验，对其理化性能、应用试验及经济效益等方面进行了比较分析。结果表明：D064的理化性能及使用工艺性与GC-A相当，具有环保性及更高的经济性。
关键词:
水溶性
,
涂漆
,
泄漏电流
,
附着性
刘开通
,
李锦
,
王磊
,
简基康
,
徐方龙
,
孙言飞
人工晶体学报
利用溶胶-凝胶工艺在ITO/玻璃衬底上制备了纯相铁酸铋(BiFeO3,BFO)和镍掺杂铁酸铋(BiFe09Ni0.1O3,BFNO)薄膜.X-射线衍射(XRD)测试表明纯相和镍掺杂铁酸铋分别为扭曲钙钛矿结构和四方相结构,具有不同的空间对称性.镍掺杂后(012)衍射峰宽化,峰强变弱,说明晶粒变小,并由原子力显微镜(AFM)测试得到验证.镍掺杂铁酸铋具有更大的介电常数和较小的漏电流.铁电测试仪和振动样品磁强计(VSM)测试结果表明镍的掺入可以迸一步提高铁酸铋的室温铁电性和铁磁性.
关键词:
铁酸铋
,
镍掺杂
,
介电
,
漏电流
张玉
,
雷天宇
,
任红
,
孙远洋
,
蔡苇
,
符春林
表面技术
doi:10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2015.05.016
铁酸铋是目前发现的唯一的室温单相多铁性的材料，其禁带宽度较小，剩余极化强度较大，居里温度较高，在光电器件、自旋电子器件、铁电随机存储器、磁电存储单元等领域有着广阔的应用前景。但铁酸铋薄膜存在漏电流较大、磁电耦合性较弱等问题，制约了在实际中的应用。离子掺杂具有操作方便、易于实现薄膜的微结构及性能调控等优点，因而受到广泛关注。综述了国内外近年来关于铁酸铋薄膜电性能掺杂改性的相关工作，阐述了不同种类的掺杂，包括A位(三价镧系元素与二价碱金属元素)、B位(过渡金属元素等)以及AB位共掺杂，同时根据掺杂对铁酸铋薄膜的漏电流、铁电性以及介电性能的影响，对A位掺杂和B位掺杂中的元素进行了分类，系统总结了各类元素掺杂改性的效果及其机理。最后，提出了铁酸铋薄膜亟待解决的问题。
关键词:
铁酸铋
,
薄膜
,
漏电流
,
铁电性
,
掺杂改良
于晓华
,
荣菊
,
詹肇麟
,
王远
材料热处理学报
以ZnO粉末为主要原料,以TiO2、Bi2O3、MnO2、Co2O3、Sb2O3为组元,在常规电子陶瓷生产工艺下制备低压化ZnO压敏陶瓷.将掺杂TiO2的陶瓷片与未掺杂TiO2的陶瓷片进行对比分析,确定最佳掺杂量.采用能谱仪分析瓷片的微区成分,采用SEM观察瓷片断口形貌,利用压敏电阻直流参数仪测量瓷片的电学性能.研究结果表明,瓷片内部主要存在富Bi晶界、Bi贫化晶界和晶粒直接接触晶界;TiO2对ZnO晶粒有助长作用,不掺杂纳米TiO2陶瓷是11.4 μm,掺杂纳米TiO2高达30.5 μm;当TiO2掺杂量为1.5％ mol时瓷片电学性能较优,即压敏电压为31.2 V/mm、漏电流为0.028 mA及为非线性系数为20.1.
关键词:
ZnO压敏陶瓷
,
TiO2掺杂
,
压敏电压
,
非线性系数
,
漏电流
张海兵
,
汤伟钧
,
张福林
,
肖金云
,
刘少华
,
戚媚娟
绝缘材料
对4类绝缘子进行了不同状态、不同电压下的泄漏电流试验，统计分析了4类绝缘子泄漏电流试验数据。选取2种典型的线路运行蓝本结合泄漏电流数据估算了运行的线路能耗及电能损耗造成的直接经济损失，分析不同线路蓝本和不同杆塔结构对绝缘子在线能耗的影响。结果表明：泄漏电流与绝缘子存在一定影响关系，选择憎水性外绝缘材料和外绝缘结构的绝缘子可降低绝缘子线路运行经济损失。
关键词:
绝缘子
,
泄漏电流
,
损耗功率
,
能耗
,
经济损失
王天
,
卢明
,
景冬冬
,
王爱国
,
王麒
绝缘材料
介绍了国内外室温硫化硅橡胶（RTV）防污闪涂层的老化分析方法，主要包括憎水性测量、电气性能测试（泄漏电流和污闪电压）以及RTV防污闪涂层的理化特性分析（热失重分析、傅里叶红外光谱分析、TSC分析、SEM分析、小角度X-ray分析以及气相色谱分析等），其中RTV防污闪涂层的理化特性分析具有实验用量少、操作简单、检测结果精确度高及可定量分析RTV涂层的老化程度等优点，成为目前RTV涂层老化程度检测中最为有效、可靠的方法，具有广泛的应用前景。
关键词:
室温硫化硅橡胶
,
老化
,
泄漏电流
,
热失重分析
,
傅里叶红外光谱
李虹
,
张萌
材料导报
综述了国内外在LED钝化材料、钝化工艺和钝化处理时LED性能的影响等方面的一些主要研究进展,指出了以蓝宝石为衬底CaN基LED钝化材料存在的问题和研究方向,特别强调以Si为衬底的LED钝化膜的研究趋势.现阶段的钝化材料主要有SiN_x、SiO_2、SiON_x等,常用的钝化方法有等离子体增强化学气相沉积(PECVD)、磁控溅射和电子束蒸发等.对LED芯片的钝化处理可以降低LED器件的漏电流和提高其光输出功率,然而,这也会导致LED的P区载流子数量的下降和芯片表面应力的增加.
关键词:
LED
,
钝化
,
漏电流
,
光输出功率
,
应力
