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梁李敏 , 刘彩池 , 解新建 , 王清周
材料导报
概述了GaN异质外延生长中衬底的选择以及缺陷的形成机理,从缓冲层技术、横向外延技术、柔性衬底技术等生长工艺方面综述了国内外GaN基半导体薄膜生长的最新研究和进展,并对其优缺点进行了分析比较,认为发展同质外延将有希望解决现在异质外延生长中存在的问题,最后展望了GaN基薄膜同质外延生长的前景.
关键词: GaN , 缺陷 , 异质外延 , 横向外延 , 缓冲层 , 柔性衬底
