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锰酸镧晶体本征点缺陷的模拟研究

赵朝珍 , 刘廷禹 , 李妍

人工晶体学报

本文利用晶格动力学GULP软件模拟计算了理想立方结构LaMnO3晶体的本征缺陷以及氧空位迁移能.利用离子之间的相互作用势计算得到的结果与实验结果吻合得很好.同时计算了理想立方结构LaMnO3的体弹模量,杨氏模量,泊松率,弹性常数,静介电常数,高频介电常数.通过对本征缺陷形成能的分析得到以下结论:LaMnO3晶体中主要存在的各类缺陷为氧空位、填隙锰、氧的夫伦克尔缺陷和锰替位镧反位缺陷;氧空位的迁移能为0.362 eV,它表明氧在晶体中容易迁移.

关键词: LaMnO3晶体 , 钙钛矿 , 本征缺陷 , 模拟计算

离子注入对高质量4H-SiC外延片ESR谱的影响

程萍 , 郝建民

兵器材料科学与工程

利用电子自旋共振仪分析了C+、Si+对高质量4H-SiC外延片中本征缺陷ESR谱的影响.结果表明:与原始样品相比,C+、Si+离子注入不仅降低了外延片中的本征缺陷浓度,同时可导致本征缺陷种类发生变化;Si+注入使样品中本征缺陷浓度降低约61%,而C+注入使本征缺陷浓度降低达63%以上.

关键词: 4H-SiC , 离子注入 , 本征缺陷

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