麻华丽
,
张新月
,
霍海波
,
曾凡光
,
王淦平
,
向飞
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2013.16.026
采用酞菁铁高温热解方法在具有微立方结构的化学镀镍硅基底上生长了碳纳米管薄膜(Si/Ni-CNTs),并在20GW脉冲功率源系统中采用二板结构对其强流脉冲发射特性进行了研究.研究结果表明,在单脉冲发射条件下,随脉冲电场峰值的增大,Si/Ni-CNTs薄膜的发射电流峰值呈线性增加,当宏观场强达到31.4 V/μm时,发射脉冲电流的峰值可达到14.74kA,对应的发射电流密度1.23kA/cm2,在相同峰值,连续多脉冲情况下,碳纳米管薄膜具有良好的发射可重复性,且发射性能稳定.
关键词:
强流脉冲发射
,
碳纳米管
,
微立方阵列
,
线性增加
,
稳定性
麻华丽
,
霍海波
,
曾凡光
,
向飞
,
王淦平
人工晶体学报
采用酞菁铁高温热解方法,以化学镀铜层为缓冲层,在具有微锥结构阵列的硅基底上制备了CNTs薄膜,并采用二极结构,在20 GW脉冲功率源系统中对其强流脉冲发射特性进行了测试.结果表明:在相同的峰值电场下,CNT薄膜的发射电流峰值随基底微结构单元尺寸的减小而增大,且当脉冲电场的峰值增加时,CNT薄膜的发射电流的峰值增长速度随基底微结构单元尺寸的减小而增大.结合利用有限元分析软件ANSYS模拟计算的微锥阵列结构上表面的电场分布,研究了不同单元尺寸的微锥阵列对碳纳米管薄膜强流脉冲发射能力的影响.
关键词:
碳纳米管
,
强流脉冲发射
,
微锥阵列
,
单元尺寸
,
电场模拟
