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CdS量子点的制备和光学性质

宋冰程轲武超杜祖亮

材料研究学报

以醋酸镉、硫粉为原料制备CdS量子点, 研究了硫的加入量对其光学性质的影响. 结果表明: 合成的CdS量子点粒径均匀, 分散性较好, 随着硫加入量的增加CdS量子点的粒径增大; 反应中过量的硫能有效地填补硫空位, 从而抑制表面态发光. 同时, ODA的修饰也能有效地钝化表面态, 减小表面态的发光强度.

关键词: 无机非金属材料 , CdS , quantum dot , quantum size effects , surface states

自支撑硼掺杂金刚石膜残余应力和微观应力的XRD分析

徐跃张彤李柳暗李红东吕宪义金曾孙

材料研究学报

利用XRD(包括sinφ法)研究了电子辅助热灯丝化学气相沉积法(EA--HFCVD)生长的自支撑硼掺杂多晶金刚石薄膜的残余应力和微观应力. 结果表明, 薄膜的残余应力为压应力, 随着薄膜制备过程中硼流量的增加, 应力值有减小的趋势. 薄膜的微观应力随着硼流量的增加, 由拉应力转变为压应力然后又转变为拉应力. 残余应力和微观应力的变化归因于一定量的硼掺杂导致的多晶膜中晶粒尺寸、晶面取向及孪晶变化的共同作用.

关键词: 无机非金属材料 , CVD diamond films , boron--doping , XRD , residual stress , micro--stress

磁控溅射制备SiC薄膜的高温热稳定性

祝元坤朱嘉琦韩杰才梁军张元纯

材料研究学报

采用磁控溅射方法在Si基底上制备SiC薄膜, 研究了SiC薄膜经不同温度和气氛条件高温退火前后结构、成份的变化. 结果表明, 薄膜主要以非晶为主, 由Si--C键, C--C键和少量Si的氧化物杂质组成; 在真空条件下经高温退火后, 薄膜C--C键的含量减少, 而Si--C键的含量增加, 真空退火有利于SiC的形成; 在800℃空气中退火后, 薄膜表面生成一层致密的SiO2薄层, 阻止了氧气与薄膜内部深层的接触, 有效保护了内部的SiC. 在空气条件下, SiC薄膜在800℃具有较好的热稳定性.

关键词: 无机非金属材料 , magnetron sputtering , thermal stability , high--temperature annealing , SiC films

量子点太阳电池的探索

彭英才傅广生

材料研究学报

阐述了探索量子点太阳电池的重要意义与物理构想, 简要介绍了两种不同结构组态的量子点太阳电池的光伏性能, 如p--i--n量子点太阳电池和量子点敏化太阳电池. 对发生在各种量子点(PbSe、PbS、PbTe、CdSe和Si)中的因碰撞电离而导致的多激子产生效应及其研究进展进行了重点评述, 并提出了设计与制作量子点太阳电池的若干技术对策. 可以预期, 具有超高能量转换效率、低制作成本与高可靠性的量子点太阳电池的实现,
有可能对未来的光伏技术与产业产生革命性的影响.

关键词: 无机非金属材料 , quantum dot structures , reviews , multiple exciton generation , solar cells , technology strategy

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