冯砚艳
,
王星星
,
辜敏
电镀与涂饰
doi:10.19289/j.1004-227x.2017.09.005
以CuCl2·2H2O和正硅酸乙酯(TEOS)作为前驱体,配制了透明稳定的Cu2+-SiO2复合溶胶.采用循环伏安法研究了Cu2+在该溶胶中的电化学性质,以恒电位法在氧化铟锡(ITO)导电玻璃表面沉积了凝胶复合薄膜.采用扫描电镜、能谱、X射线衍射对复合薄膜进行了表征,以紫外-可见光谱测试了薄膜的线性光学性能.结果表明,控制电位在-0.24 ～ 0.2 V和负于-0.24 V(相对于饱和甘汞电极)可分别制备出Cu+-SiO2和Cu-SiO2凝胶薄膜,前者的平均光学带隙宽度(Eg)为1.94 eV,略高于后者的1.92 eV.由于Cu在溶胶中是连续成核,导致了Cu-SiO2凝胶薄膜中的Cu颗粒大小不均匀(在几十纳米至几微米之间),吸收光谱在400～500 nm出现了Cu带间迁移的吸收峰.
关键词:
二氧化硅溶胶
,
铜
,
复合薄膜
,
氧化铟锡
,
恒电位电沉积
,
循环伏安法
,
紫外-可见光谱
,
光学带隙
李晓冬
,
朱红兵
,
褚家宝
,
黄士勇
,
孙卓
,
陈奕卫
,
黄素梅
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2007.05.011
在低真空(2.3×10-3 Pa)下采用射频磁控溅射法制备了ITO薄膜.溅射温度200 ℃,溅射气氛为氩气和氧气的混合气,溅射靶材为90 %氧化铟、10 %氧化锡的陶瓷靶.用场发射扫描电子显微镜和X衍射仪研究了薄膜的显微结构, 用X射线光电子能谱表征了薄膜的成分.ITO薄膜在可见光范围内有较高的透射率(80 %～95 %).在低工作气压(1 Pa)下,氧气流量比率[O2/(O2+Ar)]越小,薄膜的透射率越高、导电性越好.在高工作气压(2 Pa)下,制备得到低质量、低透射率的无定形薄膜.
关键词:
氧化铟锡
,
薄膜
,
射频磁控溅射
,
X射线光电子能谱
李艳玲
,
冀克俭
,
邓卫华
,
李颖
,
毛如增
,
周彤
中国材料进展
doi:10.7502/j.issn.1674-3962.2017.04.11
氧化铟锡(ITO)粉体中的微量杂质元素对其薄膜制品的透光率等光谱特性影响较大.用电感耦合等离子体发射光谱法(ICP-OES)同时测定ITO粉体中Sn, Fe, Cu, Pb, Zn, Ca, Mg共7种微量元素.样品置于银坩埚中用氢氧化钠铺底和覆盖,高温碱法熔融,用热水和稀盐酸浸取并转移至溶液中;选择合适谱线消除了元素之间的谱线干扰、配制混合标准溶液时采用基体匹配法消除了基体干扰;对每种元素的精密度、检出线和加标回收率进行了研究,试验结果表明,每种元素的精密度均不大于1.2%,加标回收率在98~104%之间,样品测试结果与标准值一致.
关键词:
电感耦合等离子体发射光谱
,
氧化铟锡
,
微量元素
,
碱法熔融
,
基体匹配
翟莲娜
,
周化岚
,
李小慧
,
顾哲明
,
陈亮
腐蚀学报（英文）
研制了一种可用于氧化铟锡(ITO)透明电极的刻蚀液,研究了其刻蚀效果,并推断刻蚀机理.选用不同pH值的FeCl3水溶液作为刻蚀功能成分,将PEG10000作为介质,以气相SiO2为触变剂制备刻蚀液,用丝网印刷法对ITO电极进行刻蚀实验,研究了不同刻蚀条件对刻蚀效果及ITO电极体积电阻率的影响.结果表明,pH值为1.67时,于80℃,90 min后ITO薄膜的刻蚀效果最优.通过EDS表征ITO电极元素的变化,用原子力显微镜(AFM)观察电极微观形貌的变化.
关键词:
氧化铟锡(ITO)
,
湿法刻蚀
,
丝网印刷
