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28Cr2Mo铸坯加热过程中断裂行为研究

付勇涛 , 邱长生 , 刘武群 , 李国爱 , 陈庆丰

物理测试

通过热模拟试验、光学显微镜、扫描电镜、电子探针等分析测试手段对热轧过程中28Cr2Mo铸坯的断裂行为进行了系统的研究。结果表明:在铸坯断口表面出现了明显的过烧现象,断口附近存在明显的脱碳区域;同时在断口附近的柱状晶横截面内还观察到了Cr、Mn的氧化物夹杂以及沿晶界存在断续的内部裂纹,而且这些裂纹内壁发生了严重氧化;在铸坯的心部区域观察到了很多尺寸不均、内壁光滑的不连续的孤立孔洞。分析表明铸坯中的裂纹是气孔缺陷在加热过程中不断氧化、宽化并且在热应力作用下不断扩展而形成的。也就是说铸坯中的内部缺陷是导致热轧过程中断裂的内在因素,而加热过程中的加热速度过快以及加热温度不均匀则是断坯现象发生的外在诱因。

关键词: 28Cr2Mo钢 , SEM , decarburization , impurities , inner void

Investigations of the pressure dependence of optical spectra for NiO crystal

Physica Status Solidi a-Applied Research

The optical spectra and their pressure dependence for NiO crystal have been calculated by use of a modified crystal-field theory, where the normalization parameters N-t and N-e describe the covalency reduction of electronic interactions for t(2) and e orbitals and the pressure coefficients dN(t)/dP and dN(e)/dP are obtained from a cluster approach. The calculated results are in agreement with the observed values. The difficulty of the discrepancy in the change in Racah parameters B under pressure for the T-3(1a) and T-3(1b) transitions occurring in the conventional crystal-field theory is removed.

关键词: impurities

A study of the temperature dependence of g factor for MgO:V2+ crystal

Physica B-Condensed Matter

The temperature dependence of EPR g factor for MgO:V2+ crystal has been studied theoretically by considering both the static contribution due to the thermal expansion of crystal and the vibrational contributions due to the electron-phonon interaction of the acoustic and optical branches. The static contribution is calculated from the high-order perturbation formula of g factor and the thermal expansion coefficients alpha(T) at various temperatures. The vibrational contribution of acoustic phonons is obtained by using a Debye model for the lattice vibrations and that of optical phonons is calculated by use of a single frequency model. The calculated results show that for the g factor at various temperatures, the static contribution is dominant, but for the temperature dependence of g factor, i.e., (dg/dT)(p) or Delta g(T) = g(T) - g(0), the vibrational contributions from the acoustic and optical phonons are comparable with the static contribution due to thermal expansion. It appears that a reasonable theoretical explanation for the temperature dependence of g factor should take all of these contributions into account.

关键词: impurities

磷石膏建材资源化利用现状

贾兴文 , 吴洲 , 马英

材料导报

论述了磷石膏的建材资源化利用现状和存在的问题.磷石膏的建材资源化主要是生产石膏砌块、石膏板、水泥缓凝剂和硫酸联产水泥.磷石膏所含杂质会对水泥和石膏制品质量产生不利影响,需要进行预处理.预处理磷石膏生产石膏砌块和石膏板,是磷石膏建材资源化的主要方向;预处理磷石膏作为水泥缓凝剂,存在与外加剂适应性差、喂料困难等问题,可通过提高精制磷石膏品味和造粒处理等方式来解决;预处理磷石膏生产硫酸联产水泥时,工艺制度不完善、能耗高、产品质量差,需重点解决工艺难题.

关键词: 磷石膏 , 建材资源化 , 杂质 , 预处理

杂质元素N、O、Fe对TA15钛合金性能和组织的影响

张捷频 , 闵新华

材料开发与应用

本文主要研究了杂质元素N、O、Fe含量对TA15钛合金力学性能的影响,并通过光学显微镜、透射电镜等实验手段对不同杂质成分的微观组织进行了研究分析.研究结果表明:随着杂质N、O、Fe含量的增加,TA15钛合金的室温拉伸、高温持久均得到提高.在微观组织上,不同杂质含量的组织形貌、结构有一定的差别.

关键词: TA15钛合金 , 杂质元素 , 组织 , 性能

杂质元素对镁合金组织与性能的影响及其对应措施

陈先华 , 王敬丰 , 汤爱涛 , 潘复生

材料导报

镁及镁合金中杂质元素的含量及作用已受到广泛关注.介绍了镁合金中Fe、Cu、Ni、Si等杂质的存在形式,综述了杂质元素对镁合金显微组织、腐蚀性能、力学性能的影响规律及机制,并叙述了几种提高镁合金纯度常见的方法,包括选用高纯原料、优化熔炼工艺、镁合金熔体纯净化,指出有效降低杂质含量将是未来高性能镁合金材料研究的重要方向.

关键词: 镁合金 , 杂质元素 , 组织 , 性能 , 纯化

AlN原料的钨网炉高温提纯

刘京明 , 刘彤 , 杨俊 , 陶东言 , 段满龙 , 董志远 , 赵有文 , 李百泉

材料科学与工程学报 doi:10.14136/j.cnki.issn.1673-2812.2015.04.026

商品氮化铝粉料中含有高浓度的氧、碳及金属杂质,需经过高温提纯处理后才能用于物理气相法氮化铝晶体生长.与感应加热相比,钨网电阻加热可有效避免碳、氧等的二次沾污,势必具有良好的提纯效果.本文采用钨网炉对AlN原料进行高温烧结提纯处理,通过X射线能谱仪(EDS)、气体分析技术(IGA)和辉光放电质谱仪(GDMS)对烧结处理后AlN的杂质含量进行了测试分析,结果表明经钨网炉高温烧结处理后,AlN原料中杂质含量明显降低,其中的氧、碳去除效果显著.还进一步分析了杂质挥发、原料损耗随温度、时间变化的规律.

关键词: 氮化铝 , 钨网炉 , 杂质 , 提纯

Panel污渍分析及改善探究

韩君奇 , 刘利萍 , 张南红 , 汤展峰 , 杨宗顺 , 张旋 , 张志华 , 李静

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20173203.0177

Panel污渍是TFT-LCD生产中一种常见的不良,它直接影响到产品的画面品质和出售价格,降低产品竞争力.本文通过研究发现大量panel污渍是摩擦产生的含Si元素杂质导致.实验表明:降低制品膜面的粗糙度,使杂质更易去除;通过提升摩擦后的清洗能力,也能有效去除杂质,一定程度降低了panel污渍发生率;而最后通过导入C系列摩擦布,使摩擦过程中产生极少杂质.通过导入以上3种改善措施,最终将55UHD产品的panel污渍发生率从8.2%降至0.2%.

关键词: 面板 , panel污渍 , 清洗 , 摩擦布 , 杂质

ICP-AES法测定三苯基膦氯化铑中的微量杂质

方卫 , 冯璐 , 李青 , 任传婷 , 王应进 , 吴庆伟 , 马媛 , 杨晓滔

贵金属

将三苯基膦氯化铑用硝酸、高氯酸消解,以混合酸溶解样品,用ICP-AES法测定三苯基膦氯化铑中的微量Al、Cu、Fe、Mg、Pd、Ni、Pb、Pt、Zn杂质元素含量。选择合适波长消除光谱干扰,用背景点扣除的方式消除铑对 Fe、Ni、Pb、Pt、Zn 的基体干扰。各杂质元素的检测范围为0.001%~0.1%,加标回收率为93.25%~117.0%,精密度(RSD)为0.18%~15.41%。与直流电弧发射光谱分析方法相比,准确度和精密度均得到提高,高纯铑基体消耗减少,操作简化。

关键词: 分析化学 , 三苯基膦氯化铑 , 杂质元素 , ICP-AES

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